首页> 中国专利> 制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅

制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅。制备砷掺杂剂的方法：包括：将金属砷进行一次氧化和二次氧化处理，得到氧化砷颗粒。其中，一次氧化处理的温度为20～25摄氏度，湿度为不高于45％，二次氧化处理的温度为40～60摄氏度，湿度为45～65％。该方法通过将金属砷进行一次氧化和二次氧化，可以将金属砷完全转化为氧化砷颗粒，从而在其应用过程中，例如在制备砷掺杂生长单晶硅过程中作为砷掺杂剂加入到熔硅中，不会由于固体砷与氧发生氧化反应而产生气泡，从而可以有效避免熔硅飞溅而损坏部件和影响长晶成功率的问题，同时本申请可以显著降低气体砷掺杂而导致的砷的浪费(降低砷损失至少10％)。

著录项

公开/公告号CN109628993B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-17

原文格式PDF
申请/专利权人徐州鑫晶半导体科技有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201811525438.6
发明设计人黄末;
展开▼

申请日2018-12-13
分类号
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人赵天月
地址 221004 江苏省徐州市徐州经济开发区杨山路66号
入库时间 2022-08-23 11:05:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-17

授权

授权
2019-05-10

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/04 申请日:20181213

实质审查的生效
2019-04-16

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅 [P] . 中国专利： CN109628993B . 2020.07.17
2. 制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅 [P] . 中国专利： CN109628993A . 2019-04-16
3. Arsenic dopants for pulling of silicon single crystal, process for producing thereof and process for producing silicon single crystal using thereof [P] . 美国专利： US2005215057A1 . 2005-09-29

机译：用于提拉单晶硅的砷掺杂剂，其制备方法和使用其的单晶硅制备方法
4. PROCESS FOR PREPARING AN ARSENIC-DOPED SINGLE CRYSTAL SILICON USING A SUBMERSED DOPANT FEEDER [P] . 世界知识产权组织专利： WO03027362A1 . 2003-04-03

机译：用浸没掺杂剂制备掺砷的单晶硅的方法
5. Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder [P] . 美国专利： US2003061985A1 . 2003-04-03

机译：使用浸入式掺杂剂进料器制备掺砷单晶硅的方法