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机译:外延(Ba,Sr)(Zr,Ti)O3薄膜的结构和面内介电/铁电性质
Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, China|c|;
机译:化学溶液在SrRuO_3 / SrTiO_3衬底上外延沉积PbZr_0.5Ti_0.5O3薄膜的微观结构和铁电性能
机译:在铁电Pb(Zr0.2 sub> Ti0.8 sub>)O3 sub>薄膜的SrO缓冲Si(001)衬底上沉积外延SrRuO3 sub>薄膜
机译:使用化学溶液在SrRuO_3 / SrTiO_3衬底上外延生长PbZr_0.5ti_0.5O_3薄膜沉积:微观结构和铁电性能
机译:外延PBZR_(0.52)Ti_(0.48)O_3和BATIO_3在SRRUO_3 / SRTIO_3(100)底板上制备的BATIO_3薄膜的结构和铁电性能
机译:铁料应变工程的新模式:PBZR1的域结构与性质Xtixo3薄膜
机译:硅上外延PbZr0.45Ti0.55O3薄膜的铁电和压电特性的固有稳定性与晶粒倾斜的关系
机译:外延(Ba,Sr)(Zr,Ti)O3薄膜的结构和面内介电/铁电性质
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性