机译:具有级联离散增益层倍增区域的InGaAs / InAlAs雪崩光电二极管的时间分辨增益和超额噪声特性
Voxtel Inc., 15985 NW Schendel Ave., Beaverton, Oregon 97006, USA;
III-V semiconductors; aluminium compounds; avalanche photodiodes; gallium arsenide; indium compounds; optical receivers; time resolved spectra; transient response; 8560Dw;
机译:具有级联离散增益层倍增区域的InGaAs / InAlAs雪崩光电二极管的时间分辨增益和超额噪声特性
机译:多增益InGaAs雪崩光电二极管,具有增强的增益和减少的过量噪声
机译:吸收区碰撞电离对InGaAs-InAlAs SACM雪崩光电二极管频率响应和超噪声性能的不利影响
机译:双异质结雪崩光电二极管中的乘法增益和多余噪声系数
机译:具有薄倍增区的雪崩光电二极管的增益,噪声和带宽
机译:InGaAs / InAlAs单光子雪崩光电二极管的理论分析
机译:InGaas高速光电二极管,InGaas / Inalas雪崩光电二极管和新型alassb雪崩光电二极管的设计和表征