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首页> 外文期刊>Journal of Applied Physics >Implications of light‐induced defects on the performance of amorphous silicon alloy p‐i‐n solar cells
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Implications of light‐induced defects on the performance of amorphous silicon alloy p‐i‐n solar cells

机译：光致缺陷对非晶硅合金PN太阳电池性能的影响

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We present results of computer simulations of the performance of amorphous silicon alloy p‐i‐n solar cells upon prolonged light exposure, for a range of device thicknesses for illumination through both the n+ and p+ layer. Our model realistically describes the dominant loss mechanisms in these devices, which are shown to be bulk recombination. We show how an understanding of the light‐induced degradation can lead to designing cells with improved stability by suitable modifications to the optical absorption characteristics of the intrinsic layer near to where light enters the device. Finally, by relating defect creation to the minority‐carrier diffusion length, we have calculated solar cell performance versus time in the absence of annealing for a range of device thicknesses for global AM1.5 illumination through both the n+ and p+ layers.
机译：我们提供了在长时间曝光下非晶硅合金p-i-n太阳能电池的性能的计算机模拟结果，适用于通过n +和p +层照明的一系列器件厚度。我们的模型现实地描述了这些设备中的主要损耗机制，显示为本体重组。我们展示了对光诱导降解的理解如何通过对光进入器件附近的本征层的光吸收特性进行适当的修改，可以设计出具有更高稳定性的电池。最后，通过将缺陷产生与少数载流子扩散长度相关联，我们计算出了在不进行退火的情况下，通过n +和p +层进行全局AM1.5照明的一系列器件厚度，太阳能电池性能随时间的变化。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1986年第6期|P.2222-2228|共7页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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