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Properties of CdTe/InSb heterostructures prepared by molecular beam epitaxy

机译：分子束外延制备CdTe / InSb异质结构的性质

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Properties of CdTe/InSb heterostructures grown on (111)B InSb substrates by molecular beam epitaxy are reported. X‐ray diffraction and uv reflectance measurements were used to judge the quality of epitaxy for layers grown under various conditions. Auger depth profile analysis revealed a sharp CdTe/InSb interfacial region of less than 250 Å for depositions at 220 °C. Detailed capacitance‐voltage measurements yielded interface‐state densities of 1.4–2.8×1011 cm-2 eV-1 (near midgap) for these preliminary samples, indicating that improved metal‐insulator‐semiconductor structures on InSb may be possible using this lattice‐matched heterojunction surface passivation scheme.
机译：报道了通过分子束外延在（111）B InSb衬底上生长的CdTe / InSb异质结构的性质。 X射线衍射和uv反射率测量用于判断在各种条件下生长的层的外延质量。俄歇深度剖面分析表明，在220 C的温度下，CdTe / InSb的界面区域小于250Å。对这些初步样品进行详细的电容电压测量得出的界面状态密度为1.4–2.8×1011 cm-2 eV-1（接近中间能隙），表明使用这种晶格匹配，可能会在InSb上改进金属-绝缘体-半导体结构异质结表面钝化方案。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1982年第12期|P.9232-9234|共3页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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