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CuInS2 thin‐film homojunction solar cells

机译：CuInS2薄膜同质结太阳能电池

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The fabrication and characteristics of n,p‐CuInS2 thin‐film homojunction solar cells are presented. Dark and light I‐V characteristics are reported for a 0.124‐cm2 device with η=3.33%, Voc=0.41 V, Isc=2.34 mA, and FF=0.43. A best efficiency of 3.62% is cited. An examination of the forward dark lnJ‐vs‐V characteristics indicates that the recombination‐generation mechanism at the junction dominates the device operation. The spectral characteristics are presented and indicate a maximum near the wavelength (λ=0.8 μ) corresponding to the energy gap of CuInS2, with a relatively low quantum efficiency (≪0.45). The stability and limitations of this photovoltaic device are discussed.
机译：介绍了n，p-CuInS2薄膜同质结太阳能电池的制备和特性。报告了0.124-cm2器件的暗和亮I-V特性，其中η= 3.33％，Voc = 0.41 V，Isc = 2.34 mA和FF = 0.43。引用的最佳效率为3.62％。对前向黑暗lnJ-vs-V特性的检查表明，结处的重组生成机制主导了器件的运行。给出了光谱特征，并指示了与CuInS2的能隙相对应的波长（λ= 0.8μ）附近的最大值，具有相对较低的量子效率（≪0.45）。讨论了该光电器件的稳定性和局限性。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1977年第7期|P.3178-3180|共3页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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