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Study on the thermodynamics and the growth kinetics of synthesis of the beta-SiC whiskers

机译：β-SiC晶须合成的热力学和生长动力学研究

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The thermodynamics and the growth kinetics of synthesis of the SiC whiskers (SiC_w) from rice hulls are studied in this paper. The results show that the intimate contact of SiO_2 with C in the rice hulls resulted in the formation of SiC particle (SiC_p) at lower temperature, and the external ash of the hulls (w(SiO_2) > 98 percent) is the main silicon source for SiCw growth. The metallic composite catalyst increases the selectivity for SiCw growth and the reaction rate. The growth mechanism of the SiCw can be characterized as the VLS (vapour-liquid-solid) with the presence of the whisker-forming -catalyst: from SiC nucleation through enlargement and growing with the <1 1 1> crystallographic orientation in a certain diameter, then the SiC_w is a complete single crystal of beta-SiC. The generation reaction of SiO is the rate-determing step for synthesis of SiC_w.
机译：研究了稻壳合成SiC晶须（SiC_w）的热力学和生长动力学。结果表明，稻壳中SiO_2与C的紧密接触导致在较低温度下形成SiC颗粒（SiC_p），且壳的外部灰分（w（SiO_2）> 98％）是主要的硅源。用于SiCw生长。金属复合催化剂增加了SiCw生长的选择性和反应速率。 SiCw的生长机理可以表征为存在晶须形成催化剂的VLS（蒸气-液体-固体）：从SiC成核到扩大并以<1 1 1>晶体取向在一定直径下生长，则SiC_w是完整的β-SiC单晶。 SiO的生成反应是合成SiC_w的决定速率的步骤。

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