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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Optimization of MOVPE-grown In_xGa_1-xP self-assembled quantum dots on GaP
【24h】

Optimization of MOVPE-grown In_xGa_1-xP self-assembled quantum dots on GaP

机译：GaP上MOVPE生长的In_xGa_1-xP自组装量子点的优化

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We discuss the growth of In_xGa_1-xP quantum dots on nominally (100)-oriented GaP substrates by low-pressure metal organic vapor phase epitaxy. Parameters like the growth temperature, thickness of the InGaP layer, strain, via the indium composition of In_xGa_1-xP, and the post-growth ripening time have been varied to study their effect on the growth of self-assembled InGaP quantum dots in Stranski-Krastanow mode. Under optimized conditions quantum dots with lateral dimension ～5 nm and a density ＞5 nm and a density ＞ 10~10 cm~2 have been achieved. Surface photovoltage spectroscopy is shown to be a convenient and sensitive technique to monitor the various stages in the growth of quantum dot structures.
机译：我们讨论了通过低压金属有机气相外延在标称（100）取向的GaP衬底上In_xGa_1-xP量子点的生长。改变了诸如生长温度，InGaP层的厚度，应变，通过In_xGa_1-xP的铟组成的参数以及生长后的成熟时间等参数，以研究它们对Stranski-In中自组装InGaP量子点生长的影响。 Krastanow模式。在优化条件下，获得了横向尺寸〜5 nm，密度＞ 5 nm，密度＞ 10〜10 cm〜2的量子点。表面光电压光谱学被证明是监测量子点结构生长的各个阶段的方便且灵敏的技术。

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