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【24h】

Study of the new β-In_2S_3 containing Na thin films. Part Ⅱ: Optical and electrical characterization of thin films

机译：新型含Na薄膜的β-In_2S_3的研究。第二部分：薄膜的光电特性

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The optical and electrical properties of the new [In_16]_Oh[In_5.33-xNa_3x□_2.66-2x]_TdS_32 (BINS) thin films have been studied. The determination of the optical band gap of films containing different rates of sodium has shown that it linearly increases from 2.10 eV, when the films are pure β-In_2S_3, to 2.95 eV, when their sodium content corresponds to x=0.9 i.e. [In_16]_Oh[In_4.4Na_2.7□_0.9]_TdS_32 compound. This evolution of the band gap has been discussed in terms of In-S bond length and electronegativity of an and In elements.
机译：研究了新型[In_16] _Oh [In_5.33-xNa_3x□_2.66-2x] _TdS_32（BINS）薄膜的光学和电学性质。含有不同钠含量的膜的光学带隙的确定表明，当膜的纯钠含量对应于x = 0.9即[In_16]时，它从纯的β-In_2S_3时的2.10 eV线性增加到2.95 eV。 _Oh [In_4.4Na_2.7□_0.9] _TdS_32化合物。带隙的这种演化已根据In-S键长和an和In元素的电负性进行了讨论。

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