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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Epitaxial alloy films of Zintl-phase Ca(Si_1-xGe_x)_2
【24h】

Epitaxial alloy films of Zintl-phase Ca(Si_1-xGe_x)_2

机译：Zintl相Ca（Si_1-xGe_x）_2的外延合金膜

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Reactive deposition epitaxy growth of calciumgermanosilicides Ca(Si_1-xGe_x__2 with 0≤x≤1 is described, starting from epitaxial Si_1-xGe_x films on Si(111) as well as pure Si(111) and Ge(111) as substrate material. The Ge content x of the Ca(Si_1-xGe_x)_2 films formed is identical to that of the original Si_1-xGe_x films within experimental accuracy. Ca(Si_1-xGe_x)_2 Zintl-phases show a trigonal rhombohedral crystal structure with a tr6 stacking sequence. While the c Lattice constant is 30.6 A independent of the Ge content, the a lattice constant increases linearly with x from α=3.855 A For CaSi_2 to α=4.01 A for CaGe_2. Ca(Si_1-xGe_x)_2 is found to be unstable in ambient atmosphere and decomposes Typically within some minutes.
机译：描述了硅锗钙硅化物Ca（Si_1-xGe_x__2（0≤x≤1）的反应性沉积外延生长，该过程从在Si（111）上以纯Si（111）和Ge（111）为衬底材料的外延Si_1-xGe_x薄膜开始。在实验精度范围内，所形成的Ca（Si_1-xGe_x）_2膜的Ge含量x与原始Si_1-xGe_x膜的Ge含量x相同； Ca（Si_1-xGe_x）_2 Zintl相显示出具有tr6堆积顺序的三角菱形体晶体结构。尽管c晶格常数为30.6 A（与Ge含量无关），但晶格常数随x线性增加，从CaSi_2的α= 3.855 A到CaGe_2的α= 4.01 A，发现Ca（Si_1-xGe_x）_2不稳定在环境中会分解，通常会在几分钟内分解。

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