Lateral confined epitaxy of GaN layers on Si substrates

S.Zamir; B.Meyler; J.Salzman

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Lateral confined epitaxy of GaN layers on Si substrates

机译：Si衬底上GaN层的横向受限外延

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We developed a novel, simple procedure for achieving lateral confined epitaxy (LCE). This procedure enables the growth of uncracked GaN layers on a Si substrate, using a single, continuous metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) run.

机译：我们开发了一种新颖，简单的过程来实现侧向局限外延（LCE）。此过程可使用单个连续的金属有机化学气相沉积（MOCVD）流程在Si衬底上生长未破裂的GaN层。

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2001年第4期|p.341-345|共5页
作者
S.Zamir; B.Meyler; J.Salzman;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
A1.Defects; A1.Stresses; A3.Metalorganic chemical vapor epitaxy;

机译：A1。缺陷;A1。应力A3。金属有机化学外延;

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