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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >situ mesa etching and immediate regrowth in a HVPE reactor for buried heterostructure device fabrication
【24h】

situ mesa etching and immediate regrowth in a HVPE reactor for buried heterostructure device fabrication

机译：用于埋入异质结构器件制造的HVPE反应器中的原位台面蚀刻和立即再生长

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Mesa etching in a hydride vapour-phase epitaxy (HVPE) reactor has been studied. Etched depth, underetching and shape of the mesas have been analysed as a function of partial pressures of active gases (HCl, PH_3 and InCl), stripe orientation and etching temperature. The experimental results show that the depth and undercut can be etched independently. We propose qualitative mechanisms for etching each of the emerging crystallographic planes ((0 0 1), (1 1 0) and { 1 1 1 }). In situ mesa etching with immediate regrowth was applied to the fabrication of buried heterostructure Fabry-Perot lasers. No surface contamination due to exposure to ambient and low process time are advantages of this technique.
机译：已经研究了氢化物气相外延（HVPE）反应器中的台面蚀刻。根据活性气体分压（HCl，PH_3和InCl），条带取向和蚀刻温度对台面的蚀刻深度，蚀刻不足和形状进行了分析。实验结果表明，深度和底切可以独立蚀刻。我们提出了定性机制来刻蚀每个出现的晶体学平面（（0 0 1），（1 1 0）和{1 1 1}）。利用立即再生长的原位台面蚀刻技术来制造掩埋异质结构Fabry-Perot激光器。该技术的优点是不会因暴露于环境而导致表面污染，并且处理时间短。

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