机译:InN / GaN短周期量子阱结构中的掺杂效应-基于密度泛函方法的理论研究
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland,Interdisciplinary Centre for Mathematical and Computational Modelling, University of Warsaw, Pawinskiego 5a, 02-106 Warsaw, Poland;
A1. Absorption; A3.Quantum well; A3. Superlattice; B1. Nitride;
机译:评论:基于氨的方法生长GaN-密度泛函理论研究
机译:基于密度泛函理论和分子力学方法分析微垢对MWCNT轴向屈曲的量子效应
机译:通用化学化学描述符的空间效应的发展:基于密度泛函理论的除草磺酰脲类似物的QSAR研究
机译:量子限制对宜兰量子点光学性质的影响
机译:碳纳米团簇形成的量子力学分子动力学研究和基于密度泛函的紧密结合方法的参数化。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:Inn / GaN多量子阱(MQWS)中电场的密度泛函理论(DFT)模拟和极化分析