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基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法

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摘要

基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，n型GaN基半导体层上设有负电极，p型GaN半导体层设有正电极。选择基质材料；在基质材料上外延生长n型GaN基半导体层；在n型GaN基半导体层上交替生长GaN垒层和InN阱层3～11个周期；在最上一层InN阱层上生长p型GaN基半导体层，退火，在p型和n型GaN层上制备正负电极。

著录项

  • 公开/公告号CN101621108A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门大学;

    申请/专利号CN200910112318.8

  • 发明设计人 康俊勇;林伟;李书平;陈航洋;刘达艺;陈珊珊;杨伟煌;

    申请日2009-07-30

  • 分类号

  • 代理机构厦门南强之路专利事务所;

  • 代理人马应森

  • 地址 361005 福建省厦门市思明南路422号

  • 入库时间 2023-12-17 23:18:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-12-26

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20100106 申请日:20090730

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2010-03-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2010-01-06

    公开

    公开

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