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【24h】

Bridgman growth and characterization of Bi_4(Ge_xSi_(1-x))_3O_(12) mixed crystals

机译：Bi_4（Ge_xSi_（1-x））_ 3O_（12）混合晶体的Bridgman生长和表征

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摘要

BGSO polycrystalline powder was synthesized as starting material by sintering of 4 N Ge_2O_3, SiO_2 and Bi_2O_3 using solid state reaction method. Using <0 1 0>-oriented Bi_4Si_3O_(12) crystals as seeds, the mixed crystals of Bi_4(Ge_xSi_(1-x))_3O_(12), x=0.05, 0.1, 0.15, BGSO) have been grown by the vertical Bridgman method. Transparent BGSO crystals with a size up to 10 × 15 × 30 mm3 have been obtained. The lattice parameters increase monotonically with increasing Ge~(3+) content. The transmittance spectra of BGSO single crystals were achieved in the UV and visible light regions and the absorption edge of BGSO crystal is about 285 nm.
机译：通过固相反应法烧结4 N Ge_2O_3，SiO_2和Bi_2O_3，合成了BGSO多晶粉末为原料。使用<0 1 0>取向的Bi_4Si_3O_（12）晶体作为种子，Bi_4（Ge_xSi_（1-x））_ 3O_（12），x = 0.05、0.1、0.15，BGSO的混合晶体已经垂直生长。布里奇曼方法。已获得尺寸最大为10×15×30 mm3的透明BGSO晶体。随着Ge〜（3+）含量的增加，晶格参数单调增加。在紫外和可见光区域获得了BGSO单晶的透射光谱，BGSO晶体的吸收边约为285 nm。

著录项

  • 来源
    《Journal of Crystal Growth》 |2013年第1期|121-124|共4页
  • 作者

    Yan Zhang; Jiayue Xu; Qingbo He; Baoliang Lu;

  • 作者单位

    School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, 120 Caobao Road, Shanghai 200235, PR China;

    School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, 120 Caobao Road, Shanghai 200235, PR China;

    School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, 120 Caobao Road, Shanghai 200235, PR China;

    School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, 120 Caobao Road, Shanghai 200235, PR China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    A2. Crystal growth; B1. Bi_4(Ge_xSi_(1-x))_3O_(12) crystal; B2. The Bridgman method;

    机译：A2。晶体生长;B1。 Bi_4（Ge_xSi_（1-x））_ 3O_（12）晶体;B2。布里奇曼法;

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