GalnAs/GaAsSb-based type-II micro-cavity LED with 2-3 xm light emission grown on InP substrate

著录项

• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2013年第1期|240-243|共4页
• 作者

  Christian Grasse; Tobias Gruendl; Stephan Sprengel; Peter Wiecha; Kristijonas Vizbaras; Ralf Meyer; Markus-Christian Amann;

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• 作者单位

  Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, 85748 Garching, Germany;

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  Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, 85748 Garching, Germany;

  Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, 85748 Garching, Germany;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  A3. metalorganic vapor phase epitaxy; B1. antimonides; B1. phosphides; B2. semiconductingⅢ—Ⅴ materials; B3. light emitting diodes;

  机译：A3。金属有机气相外延;B1。锑化物B1。磷化物;B2。半导体Ⅲ—Ⅴ材料;B3。发光二极管;