Sb surfactant-mediated growth of strained InGaAs multiple-quantum wells by metalorganic vapor phase epitaxy at low growth temperatures

著录项

• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2010年第3期|359-362|共4页
• 作者

  Tomonari Sato; Manabu Mitsuhara; Yasuhiro Kondo;

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• 作者单位

  NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;

  rnNTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;

  rnNTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  A1. Segregation: A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting Ⅲ-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

  机译：A1。隔离度：A3。金属有机气相外延;B2。半导体Ⅲ-Ⅴ材料;B2。半导体三元化合物;