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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >On the capillary stability of the crystal-crucible gap during dewetted Bridgman process
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On the capillary stability of the crystal-crucible gap during dewetted Bridgman process

机译：润湿布里奇曼过程中晶体坩埚间隙的毛细管稳定性

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摘要

On the physical point of view, the dewetting phenomenon is governed by the Young-Laplace capillary equation through the Laplace (La) and Bond (Bo) non-dimensional numbers. Other relevant parameters are the contact angle of the liquid on the crucible wall, θ_c, and the growth angle of the solidified material, α_e. In practice two different cases, θ_c+α_e< 180° and θ_c+α_e> 180°, should be considered, as they lead to different behaviors.rnFor studying the dependence of the crystal-crucible gap (e) on the main parameters of the process, the non-dimensional Young-Laplace equation has been solved numerically in the axi-symmetric case and for various values of the parameters, the results are presented in term of abacuses.rnThese calculations allowed plotting a diagram giving the values of Laplace's number as a function of the crucible radius, that furthermore fulfill the capillary stability criteria of the crystal diameter.
机译：从物理角度来看，去湿现象是通过拉普拉斯（La）和邦德（Bo）无量纲数由Young-Laplace毛细管方程控制的。其他相关参数是液体在坩埚壁上的接触角θ_c和凝固材料的生长角α_e。在实践中，应考虑两种不同的情况，即θ_c+α_e<180°和θ_c+α_e> 180°，因为它们会导致不同的行为.rn为了研究晶体坩埚间隙（e）对晶体主要参数的依赖性在轴对称的情况下，无量纲的Young-Laplace方程得到了数值求解，对于各种参数值，结果以算盘形式表示。这些计算允许绘制一个图表，将Laplace数的值表示为坩埚半径的函数，进一步满足晶体直径的毛细管稳定性标准。

著录项

  • 来源
    《Journal of Crystal Growth》 |2010年第8期|p.1416-1420|共5页
  • 作者

    Simona Epure; Thierry Duffar; Liliana Braescu;

  • 作者单位

    Computer Science Dept., West University of Timisoara, RO-300223 Timisoara, Romania SIMaP-EPM, BP 75, FR-38402 Saint Martin d'Heres, France;

    rnSIMaP-EPM, BP 75, FR-38402 Saint Martin d'Heres, France;

    rnComputer Science Dept., West University of Timisoara, RO-300223 Timisoara, Romania;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A2. Growth from melt;

    机译：A1。计算机仿真;A1。接口;A2。融化成长;

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