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As-rich reconstruction stability observed by high temperature scanning tunnelling microscopy

机译：高温扫描隧道显微镜观察到的富As重建稳定性

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摘要

Atomic resolution scanning tunnelling microscopy (STM) has been used to study in-situ the As-terminated reconstructions formed on GaAs(001) surfaces in the presence of an As_4 flux. The reconstructions c(4 × 4), (2 × 4) and (3 × 1) are long established for GaAs(001) between 400 and 600 ℃ for varying Ga and As flux, however the stoichiometry of incommensurate transient reconstructions is still uncertain. By performing high temperature STM on an initial (2×4) surface between 250 and 450 ℃ in the absence of an As flux, small domains with varying reconstruction are observed in a similar manner to the InAs/GaAs(001) wetting layer. The local storage of excess Ga in Ga-rich domains could provide insight into sub ML homo- and hetero-epitaxial growth.
机译：原子分辨率扫描隧道显微镜（STM）已用于在存在As_4助熔剂的情况下原位研究在GaAs（001）表面上形成的As末端重构物。对于GaAs（001）在400和600℃之间变化的GaAs和As通量，长期建立了重建结构c（4×4），（2×4）和（3×1），但是不确定的瞬时重建的化学计量仍然不确定。在不存在As助熔剂的情况下，通过在250至450℃之间的初始（2×4）表面执行高温STM，可以观察到与InAs / GaAs（001）润湿层相似的，具有不同重构的小畴。富Ga域中过量Ga的本地存储可以提供对亚ML同质和异质外延生长的了解。

著录项

  • 来源
    《Journal of Crystal Growth》 |2009年第20期|4478-4482|共5页
  • 作者

    F. Bastiman; A.G. Cullis; M. Hopkinson;

  • 作者单位

    The University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street Sheffield, South Yorkshire S1 3JD, United Kingdom;

    The University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street Sheffield, South Yorkshire S1 3JD, United Kingdom;

    The University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street Sheffield, South Yorkshire S1 3JD, United Kingdom;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    A1. Scanning tunnelling microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; A1. Surface structure;

    机译：A1。扫描隧道显微镜A3。分子束外延;B2。半导体砷化镓;A1。表面结构;

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