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机译:使用化学气相沉积法对部分铁填充的MWCNT的生长温度依赖性
Materials Science Centre, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, India;
Materials Science Centre, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, India;
A1. Nanostructure; A1. Growth model; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Carbon nanotube; B1. Iron;
机译:化学汽相沉积对预填充碳纳米管催化生长的预热作用
机译:通过化学气相沉积法在316不锈钢上直接生长MWCNT:表面纳米特征对CNT生长和结构的影响
机译:GaSb / GaAs量子点的金属有机化学气相沉积:形态对生长温度和气相V /Ⅲ比的依赖性
机译:金属有机化学气相沉积GaInNAs / GaAs量子阱的退火效应与生长温度的关系
机译:基材通过金属有机化学气相沉积对钛酸铅和锆钛酸铅薄膜的生长和织构的依赖性。
机译:金刚石生长速率对热长丝化学气相沉积过程中甲烷浓度的不寻常依赖性
机译:石墨烯对不同生长温度下钼箔的大气化学气相沉积
机译:通过微波等离子体辅助化学气相沉积在高温下高生长率同质外延金刚石膜沉积