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机译:锌预暴露温度对等离子体辅助分子束外延生长在Si(001)衬底上生长的ZnO薄膜微观结构的影响
Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
A1. Characterization; A1. Interfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;
机译:低温ZnO和MgO缓冲层厚度对(0001)Al_2O_3衬底上等离子体辅助分子束外延生长ZnO薄膜性能的影响。
机译:等离子体辅助分子束外延在纳米孔Si(001)衬底上生长的纳米结构ZnO薄膜的发射增强了
机译:等离子体辅助分子束外延在不同温度下生长的蓝宝石衬底上的(11-20)a平面ZnO膜的性质
机译:通过等离子体辅助分子束外延在Zn-极性ZnO基材上生长的高质量ZnO脱诺。
机译:分子束外延在6个氢碳化硅衬底上生长的氧化镁纳米薄膜的工艺建模与化学计量分析
机译:等离子体辅助分子束外延生长的Zn极性BeMgZnO / ZnO异质结构上肖特基二极管的制备
机译:等离子辅助分子束外延在GaN模板上生长的Ga掺杂ZnO薄膜