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【24h】

Microstructure and ferroelectric properties of Bi_(3.2)Y_(0.8)T_3O_(12) thin films prepared by sol-gel method

机译:溶胶-凝胶法制备Bi_(3.2)Y_(0.8)T_3O_(12)薄膜的微观结构和铁电性能

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摘要

Yttrium-substituted bismuth titanate (Bi_(3.2)Y_(0.8)Ti_3O_(12), BYT) thin films were successfully deposited on Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(l 00) substrates by spin coating with a sol-gel technology and rapid thermal annealing. The effects of annealing temperatur
机译:通过溶胶-凝胶旋涂成功地将钇取代的钛酸铋(Bi_(3.2)Y_(0.8)Ti_3O_(12),BYT)薄膜成功沉积在Pt(111)/ Ti / SiO_2 / Si(l 00)衬底上技术和快速的热退火。退火温度的影响

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