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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Improvement Of Inas Quantum Dots Optical Properties In Close Proximity To Gaas(001) Substrate Surface
【24h】

Improvement Of Inas Quantum Dots Optical Properties In Close Proximity To Gaas(001) Substrate Surface

机译：接近Gaas（001）衬底表面的Inas量子点光学性能的改善

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In this work we demonstrate a growth process for obtaining high optical emission efficiency InAs/GaAs(001) quantum dots (QD) formed at short distance to the interface with the GaAs substrate. In particular, after an initial exposure of the substrate surface to long times of atomic hydrogen flux (t_H up to 45 min) followed by a posterior growth of a GaAs buffer layer by atomic layer molecular beam epitaxy, both steps at low substrate temperature (T_S = 450℃), an enhancement of InAs QD optical emission efficiency is obtained, even at close proximity (3.5 nm) to the substrate interface. This process fulfils the strict requirements in terms of substrate temperature and buffer layer thickness (distance from the QD to the substrate interface) for its possible use as an optimal regrowth protocol on previously patterned GaAs substrates.
机译：在这项工作中，我们演示了一种获得高光发射效率InAs / GaAs（001）量子点（QD）的生长过程，该量子点形成在与GaAs衬底的界面短距离处。特别是，在将基材表面初始暴露于长时间的原子氢通量（t_H至45分钟）之后，随后通过原子层分子束外延生长GaAs缓冲层，这两个步骤均在较低的基材温度下（T_S = 450℃），即使在接近衬底界面（3.5 nm）的情况下，InAs QD的光发射效率也会提高。该工艺在衬底温度和缓冲层厚度（从QD到衬底界面的距离）方面满足了严格的要求，以使其有可能用作先前图案化的GaAs衬底上的最佳再生协议。

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