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【2h】

Influence of GaAs Substrate Orientation on InAs Quantum Dots: Surface Morphology Critical Thickness and Optical Properties

机译：GaAs衬底取向对InAs量子点的影响：表面形态临界厚度和光学性质

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InAs/GaAs heterostructures have been simultaneously grown by molecular beam epitaxy on GaAs (100), GaAs (100) with a 2° misorientation angle towards [01−1], and GaAs (n11)B (n = 9, 7, 5) substrates. While the substrate misorientation angle increased from 0° to 15.8°, a clear evolution from quantum dots to quantum well was evident by the surface morphology, the photoluminescence, and the time-resolved photoluminescence, respectively. This evolution revealed an increased critical thickness and a delayed formation of InAs quantum dots as the surface orientation departed from GaAs (100), which was explained by the thermal-equilibrium model due to the less efficient of strain relaxation on misoriented substrate surfaces.
机译：InAs / GaAs异质结构已通过分子束外延同时生长在GaAs（100），朝向[01-1]方向成2°取向角的GaAs（100）和GaAs（n11）B上（n = 9，7，5）基材。当衬底的取向错误角从0°增大到15.8°时，从量子点到量子阱的清晰演化分别通过表面形态，光致发光和时间分辨的光致发光得到明显体现。随着表面取向偏离GaAs（100），这种演变揭示了临界厚度的增加和InAs量子点的形成延迟，这是由于热失衡模型所致，因为在未定向的衬底表面上应变松弛效率较低。

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