GaAs间隔层厚度对InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响

刘瑶; 王颖; 郭庆林; 李晓莉; 梁宝来; 王淑芳; 傅广生

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GaAs间隔层厚度对InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响

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采用光致荧光发射谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了GaAs间隔层厚度对自组装生长的双层InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响.首先,测量低温下改变激发强度的PL谱,底层量子点和顶层量子点的PL强度比值随激发强度发生变化,表明两层量子点之间的耦合作用和层间载流子的转移随着间隔层厚度变大而变弱.接着测量改变温度的PL谱,量子点荧光光谱峰值位置(Emax)、半峰全宽及积分强度随温度发生变化,表明GaAs间隔层厚度直接影响到量子点内载流子的动力学过程和量子点发光的热淬灭过程.最后,TRPL测量发现60mL比40mL间隔层厚度样品的载流子隧穿时间有明显延长.

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来源
《光子学报》 |2017年第8期|97-101|共5页
作者
刘瑶; 王颖; 郭庆林; 李晓莉; 梁宝来; 王淑芳; 傅广生;
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作者单位

河北大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.3;
关键词
载流子; 光致荧光; 时间分辨; 自组织量子点; 光谱;

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