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一种GaAs基InAs量子点材料生长方法

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本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法，包括：S1、在衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在缓冲层上生长2～4ML的InAs量子点层，生长温度为470～510℃；S3、关闭As源；S4、在InAs量子点层的顶部采用FME模式生长一层所需厚度的低温帽层，生长温度为470～510℃；S5、在低温帽层上采用常规方法生长一层所需厚度的高温帽层，生长温度580～630℃。本发明采用FME模式III‑V族原子交替生长在InAs量子点表面，晶体质量好，原子迁移时间长，迁移率高，位错密度低，覆盖均匀性好，提高量子点的发光效率。

著录项

公开/公告号CN108847385B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-06

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第四十四研究所;
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申请/专利号CN201810599199.2
发明设计人刘尚军;周勇;莫才平;冯琛;张靖;杨晓波;刘万清;
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申请日2018-06-11
分类号H01L21/02(20060101);C23C16/30(20060101);
代理机构50221 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘佳
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2022-08-23 11:11:25

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