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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >InGaN multiple quantum wells grown on ELO GaN templates and the optical properties characterization
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InGaN multiple quantum wells grown on ELO GaN templates and the optical properties characterization

机译：在ELO GaN模板上生长的InGaN多量子阱及其光学性质表征

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Epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride with (1122) facets was realized by metal organic chemical vapor deposition on GaN/ sapphire (0001) substrates with SiO_2 stripe mask. After wet etching of the mask, periodic multiple quantum wells (MQWs) InGaN/GaN structures were grown on the whole surface. Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) showed that a higher growth rate on (0001) plane compared to (1122) facet. The well thickness and In composition of the quantum wells (QWs) were analyzed by the cross-sectional and high resolution X-ray diffraction (HR-XRD) measurements. Micro photoluminescence spectra confirmed that the ELO InGaN/GaN MQWs structures on the (1122) plane provide nearly multi-wavelengths output light. This is suitable for display devices based on the white color optical system.
机译：通过在具有SiO_2条纹掩模的GaN /蓝宝石（0001）衬底上进行金属有机化学气相沉积，可以实现具有（1122）刻面的氮化镓外延横向过度生长。在对掩模进行湿蚀刻之后，在整个表面上生长出周期性的多量子阱（MQW）InGaN / GaN结构。横截面透射电子显微镜（TEM）显示，与（1122）面相比，在（0001）面上的生长速率更高。通过截面和高分辨率X射线衍射（HR-XRD）测量分析了量子阱（QW）的阱厚度和In组成。微光致发光光谱证实，（1122）平面上的ELO InGaN / GaN MQWs结构可提供几乎多波长的输出光。这适用于基于白色光学系统的显示设备。

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