法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-14
授权
授权
2017-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/02 申请日:20161031
实质审查的生效
2017-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/02 申请日:20161031
实质审查的生效
2017-02-08
公开
公开
2017-02-08
公开
公开
机译: GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件
机译: GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件
机译: GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件