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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >MOVPE growth optimization for laser diodes with highly strained InGaAs MQWs
【24h】

MOVPE growth optimization for laser diodes with highly strained InGaAs MQWs

机译：具有高应变InGaAs MQW的激光二极管的MOVPE生长优化

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With the aim of realizing high power laser diodes on GaAs with narrow far fields and an emission wavelength above 1100 nm, we have studied the growth and strain behavior of pseudomorphic In_xGa_(1-x)As (x > 0.3) multi quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy. The effect of different numbers of quantum wells, barrier thickness, strain compensation and growth rate on defect formation has been studied. Laser diodes with very small far field angles and different numbers of quantum wells were processed into broad area devices (100-200 μm x 1-4mm). Such devices show thermally limited output CW powers up to 20 W and no noticeable degradation over more than 10.000 hat 5 W.
机译：为了在狭窄的远场和发射波长大于1100 nm的GaAs上实现高功率激光二极管，我们研究了通过以下方法生长的假晶In_xGa_（1-x）As（x> 0.3）多量子阱的生长和应变行为。金属有机气相外延。研究了不同数量的量子阱，势垒厚度，应变补偿和生长速率对缺陷形成的影响。具有很小的远场角和不同数量的量子阱的激光二极管被加工成大面积器件（100-200μmx 1-4mm）。这样的设备显示出受热限制的输出CW功率高达20 W，并且在超过10.000 hat 5 W时没有明显的退化。

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