Effect of anisotropic strain on phonons in a-plane and c- plane GaN layers

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2007年第1期|p.233-238|共6页
• 作者

  V. Darakchieva; T. Paskova; M. Schubert; P.P. Paskov; H. Arwin; B. Monemar; D. Hommel; M. Heuken; J. Off; B.A. Haskell; P.T. Fini; J.S. Speck; S. Nakamura;

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• 作者单位

  IFM, Linkoeping University, S-581 83 Linkoeping, Sweden;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Infrared spectroscopic ellipsometry; A1. Phonons; B1. GaN;

  机译：A1。高分辨率X射线衍射;A1。红外椭圆偏振光谱法;A1。声子;B1。氮化镓;