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机译:金属有机分子束外延生长从Te等电子中心向Ⅱ型ZnTe量子点演化的发光研究
Research Institute for Electronic Science (RIES), Hokkaido University Kita-21, Nishi-10, Kita, Sapporo, Hokkaido 001-0021, Japan;
A1. Impurities; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials;
机译:金属有机分子束外延生长从Te等电子中心向Ⅱ型ZnTe量子点演化的发光研究
机译:评述“金属有机分子束外延生长从Te等电子中心到II型ZnTe量子点的发光研究” [J.晶体生长301-302(2007)277]
机译:回应“关于“通过有机金属分子束外延生长从Te等电子中心到II型ZnTe量子点的发光研究”的评论” [J.晶体生长301-302(2007)277]
机译:分子束外延生长的应变补偿GaInNAs / GaAs / GaAs量子阱结构的光致发光研究
机译:静水压力对分子束外延生长的铟镓磷化物合金和砷化镓/磷化铟镓量子阱结构的影响。
机译:通过分子束外延在Si(100)上生长的GaAs / GaInAs核-多量子阱壳纳米线结构的室温光致发光的观察和可调性
机译:金属有机分子束外延生长在GaNAs应变补偿层中的InAs量子点的光致发光研究
机译:分子束外延生长的si掺杂n-Gaas中等电子In或sb掺杂对陷阱的抑制