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首页> 美国卫生研究院文献>Nanoscale Research Letters >Observation and tunability of room temperature photoluminescence of GaAs/GaInAs core-multiple-quantum-well shell nanowire structure grown on Si (100) by molecular beam epitaxy
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Observation and tunability of room temperature photoluminescence of GaAs/GaInAs core-multiple-quantum-well shell nanowire structure grown on Si (100) by molecular beam epitaxy

机译：通过分子束外延在Si（100）上生长的GaAs / GaInAs核-多量子阱壳纳米线结构的室温光致发光的观察和可调性

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We report the observation of room temperature photoluminescence (PL) emission from GaAs/GaInAs core-multiple-quantum-well (MQW) shell nanowires (NWs) surrounded by AlGaAs grown by molecular beam epitaxy (MBE) using a self-catalyzed technique. PL spectra of the sample show two PL peaks, originating from the GaAs core NWs and the GaInAs MQW shells. The PL peak from the shell structure red-shifts with increasing well width, and the peak position can be tuned by adjusting the width of the MQW shell. The GaAs/GaInAs core-MQW shell NW surrounded by AlGaAs also shows an enhanced PL intensity due to the improved carrier confinement owing to the presence of an AlGaAs clad layer. The inclined growth of the GaAs NWs produces a core-MQW shell structure having a different PL peak position than that of planar QWs. The PL emission by MQW shell and the ability to tune the PL peak position by varying the shell width make such core-shell NWs highly attractive for realizing next generation ultrasmall light sources and other optoelectronics devices.PACS81.07.Gf; 81.15.Hi; 78.55.Cr
机译：我们报告观察到的GaAs / GaInAs核心多量子阱（MQW）壳纳米线（NWs）周围的AlGaAs的室温光致发光（PL）发射，该AlGaAs通过分子束外延（MBE）使用自催化技术生长。样品的PL光谱显示两个PL峰，分别来自GaAs核心NW和GaInAs MQW壳。壳结构的PL峰随井宽度的增加而红移，并且可以通过调整MQW壳的宽度来调整峰位置。被AlGaAs包围的GaAs / GaInAs核-MQW壳NW也由于由于存在AlGaAs覆盖层而改善了载流子限制而显示出增强的PL强度。 GaAs NWs的倾斜生长产生了核心MQW壳结构，该壳结构的PL峰值位置与平面QW的PL峰值位置不同。 MQW外壳发出的PL发射以及通过改变外壳宽度来调节PL峰值位置的能力使这种核壳NW对于实现下一代超小型光源和其他光电器件具有高度吸引力。PACS81.07.Gf; 81.15。嗨； 78.55。铬

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