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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >MBE growth of heavily carbon doped GaAsSb on InP for heterojunction bipolar transistor applications
【24h】

MBE growth of heavily carbon doped GaAsSb on InP for heterojunction bipolar transistor applications

机译：在InP上用于异质结双极晶体管应用的重掺杂碳的GaAsSb的MBE生长

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Carbon doped GaAsSb samples have been grown by solid source molecular beam epitaxy using carbon tetrabromide as carbon source. A maximal hole concentration of 4.5 x 10~(20) cm~(-3) has been obtained with a corresponding mobility of 19 cm~2/Vs. For hole concentrations in the 4-8 x 10~(19) cm~(-3) range, typically used in HBTs, the hole mobility is 45-50 cm~2/Vs. We show that 450℃ is the optimal growth temperature at which both high hole concentration and mobility are obtained. An InP/GaAsSb/InP DHBT test structure with a 2 x 10~(19) cm~(-3) carbon doped base has been realised. The current gain β is about 80 and the emitter-base and base-collector junction ideality factors are 1.15 and 1.05, respectively, indicating good junction properties.
机译：使用四溴化碳作为碳源，通过固源分子束外延生长了碳掺杂的GaAsSb样品。获得的最大空穴浓度为4.5 x 10〜（20）cm〜（-3），相应的迁移率为19 cm〜2 / Vs。对于HBT中通常使用的4-8 x 10〜（19）cm〜（-3）范围内的空穴浓度，空穴迁移率是45-50 cm〜2 / Vs。我们表明450℃是获得高空穴浓度和迁移率的最佳生长温度。实现了具有2 x 10〜（19）cm〜（-3）碳掺杂碱的InP / GaAsSb / InP DHBT测试结构。电流增益β约为80，发射极-基极和基极-集电极结的理想因数分别为1.15和1.05，表明良好的结性质。

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