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A study on maskless selective growth of Mg-doping p-type GaAs using low-energy focused ion beam

机译：低能聚焦离子束无掺杂掺杂Mg p型GaAs的选择性生长研究

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Maskless selective growth of Mg-doped GaAs films was performed by using a low-energy (30-200 eV) Mg-Ga focused ion beam (FIB) under the ambient of As_4 molecular beam. Under suitable As_4 pressure, all samples showed p-type and the carrier concentrations were around 10~(17) cm~(-3). We achieved very high sticking coefficient of Mg (k_(Mg) of nearly 10~(-1)) compared with the result obtained at Molecular beam epitaxy (MBE) growth (k_(Mg) of nearly 10~(-5)). A p-n junction was formed on n~+ -type GaAs substrate by maskless selective growth. The diode showed typical Ⅰ-Ⅴ characteristics and the quality factor (n-value) was approximately 1.75 for the sample grown at 60 eV. These results indicate that this method would be suitable for making maskless selective micro-device fabrication.
机译：通过在As_4分子束环境下使用低能量（30-200 eV）Mg-Ga聚焦离子束（FIB）进行Mg掺杂GaAs膜的无掩模选择性生长。在合适的As_4压力下，所有样品均呈p型，载流子浓度约为10〜（17）cm〜（-3）。与在分子束外延（MBE）生长时获得的结果（k_（Mg）接近10〜（-5））相比，我们获得了非常高的Mg粘附系数（k_（Mg）接近10〜（-1））。通过无掩模选择性生长在n〜+型GaAs衬底上形成p-n结。二极管显示出典型的Ⅰ-Ⅴ特性，并且在60 eV下生长的样品的品质因数（n值）约为1.75。这些结果表明，该方法将适用于制造无掩模选择性微器件。

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