Temperature-insensitive detectivity of 5-pair InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetectors with asymmetric device structure

著录项

• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2007年第4期|p.817-820|共4页
• 作者

  Shu-Ting Chou; Shang-Fu Chen; Shih-Yen Lin; Meng-Chyi Wu; Jing-Mei Wang;

  展开▼
• 作者单位

  Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan;

  展开▼
• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. Infrared devices; A3. Thin film/epitaxial growth; B3. Devices; B3. Quantum dots;

  机译：A1。红外设备;A3。薄膜/外延生长;B3。装置;B3。量子点;