...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >In situ observation of reconstruction related surface stress during molecular beam eptaxy (MBE) growht of III-V compounds
【24h】

In situ observation of reconstruction related surface stress during molecular beam eptaxy (MBE) growht of III-V compounds

机译：III-V化合物分子束外延（MBE）生长过程中与重建相关的表面应力的原位观察

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Anisotropic surface stress associawted with the different surface reconstructions of (0 0 1)GaAs is measured in situ in an MBE system. We use ank opticla deflection technique on [1 1 0] oriented cantilevers fabricated on thinned wafer areas. Changes of surface stress, associated with the As and Ga dimer surface coverage for c(4×4),2×4,3×1 and 4×2 reconstructions, are observed as substrate temperautre and impinging molecular flux are being varied. Deflection koscillations can be detected also during MBE growth relating surface stress to surface roughness or step density. Sensitivity and stability of this technique demonstrates its usefulness as new tool to study in situ a variety of surface kinetics and incorporation phenomena.
机译：在MBE系统中原位测量了与（0 0 1）GaAs的不同表面重构相关的各向异性表面应力。我们在薄晶片区域上制造的[1 1 0]定向悬臂上使用了ank光学偏转技术。随着衬底温度的变化和撞击分子通量的变化，观察到了与c（4×4），2×4、3×1和4×2重构的As和Ga二聚体表面覆盖率相关的表面应力变化。在MBE生长期间，也可以检测到挠曲振荡，从而将表面应力与表面粗糙度或台阶密度相关联。这项技术的灵敏度和稳定性证明了其作为现场研究各种表面动力学和结合现象的新工具的有用性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号