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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Growth of ZnSe layers on β(2×4)As, (i×3) Te, and (4× 2)Ga-terminated (0 0 1) GaAs substrates
【24h】

Growth of ZnSe layers on β(2×4)As, (i×3) Te, and (4× 2)Ga-terminated (0 0 1) GaAs substrates

机译：在（2×4）As，（i×3）Te和（4×2）Ga端接（0 0 1）GaAs衬底上生长ZnSe层

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We have studied the influence of the surface stoichiometry of thue (0 0 1)GaAs surface (β(2×4)As, (i×3)Te, and (4×2Ga) on the grwoht mode and defect generation in MBE-grown ZnSe. For the β(2×4)As and (i×3)Te surfaces, no interfacial compounds are formed and the obsrved stacking faults are not related to the interface. The stacking fault densities and the criticla thicknesses are comkparable for both the β(2×4)As and (i×3)Te. For the ZnSe layers grown onto a (4×2)Ga surface, a different behavior is observed. Ga-related precipitates are formed near the interface. For thicknesses below 100 nm the misfit is partially relaxed by dislocations generated to accomodate the precipitates. Few stacking faults are generted and are seen to be nucleated at the precipitates.
机译：我们研究了（0 0 1）GaAs表面（β（2×4）As，（i×3）Te和（4×2Ga）的表面化学计量对MBE-中的grwoht模和缺陷产生的影响对于β（2×4）As和（i×3）Te表面，没有形成界面化合物，且明显的堆垛层错与界面无关，两者的堆垛层错密度和厚度都可比。 β（2×4）As和（i×3）Te。对于生长在（4×2）Ga表面上的ZnSe层，观察到不同的行为，在界面附近形成与Ga有关的沉淀。 100 nm处的失配被生成的能容纳沉淀物的位错部分缓解，几乎没有堆垛层错产生，并在沉淀物处成核。

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