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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >InAs and (In,Mn)As nanostructures grown on GaAs(1 0 0)(2 1 1)B, and (3 1 1)B substrates
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InAs and (In,Mn)As nanostructures grown on GaAs(1 0 0)(2 1 1)B, and (3 1 1)B substrates

机译：在GaAs（1 0 0）（2 1 1）B和（3 1 1）B衬底上生长的InAs和（In，Mn）As纳米结构

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InAs and (In,Mn)As nanostructures grown on GaAs(1 0 0), (2 1 1)B and (3 1 1)B subsrates have been studied. Quantum dots (QDs) were observed when InAs was grown on GaAs(1 0 0) (or (3 1 1)B). QDs with biomdal size distribution were formed when InAs was deposited on GaAs(2 1 1)B at lowr growth temeprautres (T_s) whereas quantum dashes (QDHs) were observed at higher T_s. (In,Mn)As QDs grown on GaAs(1 0 0) slhowed a broad range of dot sizes with irregular shape. (In,Mn)As QDs grown on GaAs(1 0 0) showed a broad range of dot sizes with irregular shape. (In,Mn)as QDs grown on GaAs(2 1 1)B showed improved size uniformity comapred to those grown on GaAs(1 0 0) and (3 1 1)B. The effects of MKn as a surfactawnt on InAs nanostructures were also studied.
机译：研究了在GaAs（1 0 0），（2 1 1）B和（3 1 1）B基板上生长的InAs和（In，Mn）As纳米结构。当InAs在GaAs（1 0 0）（或（3 1 1）B）上生长时，观察到量子点（QD）。当InAs以较低的生长温度（T_s）沉积在GaAs（2 1 1）B上时，形成具有生物膜尺寸分布的QD，而在较高的T_s处观察到量子破折号（QDH）。在GaAs（1 0 0）上生长的（In，Mn）As QD缩小了不规则形状的宽范围的点尺寸。在GaAs（1 0 0）上生长的（In，Mn）As QD表现出宽范围的不规则形状的点尺寸。 （In，Mn）作为在GaAs（2 1 1）B上生长的QD表现出改善的尺寸均匀性，与在GaAs（1 0 0）和（3 1 1）B上生长的QD一致。还研究了Mkn作为表面活性剂对InAs纳米结构的影响。

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