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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Shaped crystal growth of Ce3+-doped Lu-2((1-x))Y2xSiO5 oxyortho silicate for scintillator applications by pulling-down technique
【24h】

Shaped crystal growth of Ce3+-doped Lu-2((1-x))Y2xSiO5 oxyortho silicate for scintillator applications by pulling-down technique

机译：通过下拉技术将Ce3 +掺杂Lu-2（（1-x））Y2xSiO5含氧原硅酸盐的形貌晶体生长

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The pulling-down technique has been applied to produce Lu2(1-x)Y2xSiO5:Ce3+ (LYSO:Ce) shaped single crystals with diameter control. The yttrium content in the crystal was between 5% and 6% (x between 0.025 and 0.030). Ce concentration was in the range 0.05%-0.10%. The thermal and growth conditions allowing fabrication of transparent cylindrical single crystal were optimised. The crystals have been grown under 1 bar pressure in argon atmosphere using pulling rates from 0.1 to 0.5 mm/min. Complete (100%) discharge of the crucible after the growth process was performed with practically empty container ready for the next growth run. The as-pulled crystals demonstrated scintillation behaviour. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：下拉技术已应用于生产具有直径控制的Lu2（1-x）Y2xSiO5：Ce3 +（LYSO：Ce）形状的单晶。晶体中的钇含量在5％和6％之间（x在0.025和0.030之间）。 Ce的浓度在0.05％-0.10％的范围内。优化了允许制造透明圆柱形单晶的热和生长条件。晶体已在氩气气氛中，在1 bar的压力下，以0.1至0.5 mm / min的提拉速度生长。在生长过程完成之后，用几乎空的容器完成坩埚的完全排放（100％），为下一次生长做好准备。刚拉出的晶体显示出闪烁行为。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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