Influence of rapid thermal annealing on InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness

著录项

• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2005年第2期|p. 20-27|共8页
• 作者

  Lei W; Chen YH; Wang YL; Xu B; Ye XL; Zeng YP; Wang ZG;

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• 作者单位

  Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  annealing; dislocations; photoluminescence; molecular beam epitaxy; quantum wires; semiconducting III-V material; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; OPTICAL-PROPERTIES; SURFACE-MORPHOLOGY; INP SUBSTRATE; DOTS; PHOTOLUMINESCENCE; INP(001); TEMPERATURE; ISLANDS; STRAIN;

  机译：退火;位错;光致发光;分子束外延;量子线;半导体III-V材料;分子束表位;光学性质;表面形态;INP基质;点;光致发光;INP（001）;温度;岛;