• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Mass transfer in AlN crystal growth at high temperatures
【24h】

Mass transfer in AlN crystal growth at high temperatures

机译：AlN晶体在高温下的传质

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

A one-dimensional mass transfer model based on equilibrium sublimation and gas phase diffusion was developed for high-temperature sublimation growth of AlN in an RF heated reactor and validated with growth results. The model predicted the apparent activation energy for growth to be close to the energy of sublimation. Using the model-predicted growth conditions, a 25 mm diameter polycrystalline boule was grown at a rate of 1 mm/h. Growth was performed at short source-to-seed distances (～10 mm), nitrogen pressure of 600 Torr, nitrogen flow-rate of 100 sccm, and source temperatures ranging from 2000℃ to 2400℃. Fast grain size development was achieved in the growth direction. The grown material was transparent and virtually colorless.
机译：建立了基于平衡升华和气相扩散的一维传质模型，用于RF加热反应器中AlN的高温升华生长，并用生长结果进行了验证。该模型预测生长的表观活化能接近升华能。使用模型预测的生长条件，以1 mm / h的速度生长直径25 mm的多晶晶锭。生长是在短的源到种子距离（〜10 mm），氮气压力为600 Torr，氮气流量为100 sccm以及源温度为2000℃至2400℃的条件下进行的。在生长方向上实现了快速的晶粒尺寸发展。生长的材料是透明的，几乎是无色的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号