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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >1.3 μm InAs/GaAs quantum dots directly capped with GaAs grown by metal-organic chemical vapor deposition
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1.3 μm InAs/GaAs quantum dots directly capped with GaAs grown by metal-organic chemical vapor deposition

机译：1.3μmInAs / GaAs量子点直接被金属有机化学气相沉积生长的GaAs覆盖

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In this paper, we investigate the effects of growth temperature and growth rate on the formation of InAs/GaAs quantum dots (QDs) grown by metalorganic chemical vapor deposition. These QDs are formed with large InAs coverage (3.0 MLs) and periodic growth interruption via the Stranski-Krastanow epitaxial growth mode. The photoluminescence (PL) spectra at 300 K exhibit a red shift in peak wavelength by decreasing the InAs growth temperature from 540℃ to 500℃. As the growth rate increases from 0.05 to 0.2 ML/S at a growth temperature of 500℃, the PL linewidth decreases and the PL intensity increases. These results are related to the In clusters and uniformity of InAs/GaAs QDs, which are observed by scanning electron microscopy (SEM). Finally, the room-temperature PL spectrum of InAs/GaAs QDs directly capped with GaAs layer shows an emission wavelength at 1.35 μm and a narrow linewidth of 30.8 meV.
机译：在本文中，我们研究了生长温度和生长速率对金属有机化学气相沉积生长的InAs / GaAs量子点（QDs）形成的影响。这些量子点形成的InAs覆盖量较大（3.0 MLs），并且通过Stranski-Krastanow外延生长模式周期性地中断了生长。通过将InAs生长温度从540℃降低到500℃，在300 K处的光致发光（PL）光谱显示出峰值波长的红移。随着生长温度在500℃下从0.05 ML / S到0.2 ML / S的增长，PL线宽减小，PL强度增加。这些结果与In团簇和InAs / GaAs QD的均匀性有关，这可以通过扫描电子显微镜（SEM）观察到。最后，直接盖有GaAs层的InAs / GaAs QD的室温PL光谱显示出1.35μm的发射波长和30.8 meV的窄线宽。

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