...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Properties of VO_2 thin film prepared with precursor VO(acac)_2
【24h】

Properties of VO_2 thin film prepared with precursor VO(acac)_2

机译：前驱体VO（acac）_2制备的VO_2薄膜的性能

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Both pure and tungsten (W)- or chromium (Cr)-doped vanadium dioxide (VO_2) thin films have been deposited by the sol-gel method on Si substrate using VO(acac)_2 as a precursor. XRD, Raman and atomic force microscopy (AFM) measurements showed the high (1 1 0) orientation of the films. It was found that the temperature coefficient of resistivity (TCR) values of the films around room temperature could be adjusted by impurity doping. Compared with the un-doped VO_2 films, the W-doping leads to larger TCR values, while the Cr-doping leads to smaller ones. The TCR value is linearly dependent on the impurity at room temperature. The largest TCR value of 5.2/% K~(-1) was obtained for 20/ at% W-doped VO_2 film.
机译：使用VO（acac）_2作为前驱体，通过溶胶-凝胶法在Si衬底上沉积了纯钨薄膜和掺钨（W）或铬（Cr）的二氧化钒（VO_2）薄膜。 XRD，拉曼和原子力显微镜（AFM）测量显示出薄膜的高（1 1 0）取向。发现可以通过杂质掺杂来调节室温附近的膜的电阻率（TCR）值的温度系数。与未掺杂的VO_2薄膜相比，W掺杂导致较大的TCR值，而Cr掺杂导致较小的TCR值。 TCR值在室温下线性取决于杂质。对于20 / at％W掺杂的VO_2薄膜，获得最大的TCR值为5.2 /％K〜（-1）。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号