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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Piezoelectricity in indium nitride
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Piezoelectricity in indium nitride

机译：氮化铟中的压电

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An interferometric method has been used to measure the piezoelectric coefficient d(33) in thin, InN layers grown by remote plasma-enhanced chemical vapour deposition. The measured value of the coefficient varies from around 3.1 to 4.7 pm V-1. Theoretical predictions for these coefficients are scarce, but these values are significantly lower than those which are available. The discrepancy arises largely from the clamping of the film by the substrate, but may also be due to defects within the material. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：干涉法已用于测量通过远程等离子体增强化学气相沉积法生长的InN薄层中的压电系数d（33）。系数的测量值在3.1至4.7 pm V-1之间变化。这些系数的理论预测很少，但是这些值明显低于可用的值。差异主要是由基材对薄膜的夹持引起的，但也可能是由于材料内的缺陷所致。 （C）2004 Elsevier B.V.保留所有权利。

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