掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
Microscopy of Semiconducting Materials Conference
Microscopy of Semiconducting Materials Conference
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
Evidence of perfect dislocation glide in nanoindented 4H-SiC
机译:
纳米宁4H-SIC中完美位错滑动的证据
作者:
M Texier
;
A De Luca
;
B Pichaud
;
M Jublot
;
C Tromas
;
J-L Demenet
;
J Rabier
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Evidence;
perfect dislocation;
glide;
2.
Quantitative Composition Evaluation from HAADF-STEM in GeSi/Si Heterostructures
机译:
从GESI / Si异质结构中的Haadf-茎的定量组成评价
作者:
M Tewes
;
E F Krause
;
K Müller
;
P Potapov
;
M Schowalter
;
T Mehrtens
;
A Rosenauer
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Quantitative;
Composition;
Evaluation;
3.
Atomic-scale characterization of (mostly zincblende) compound semiconductor heterostructures
机译:
(大多是Zincblende)化合物半导体异质结构的原子标尺表征
作者:
David J Smith
;
T Aoki
;
J K Furdyna
;
X Liu
;
M R McCartney
;
Y-H Zhang
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Atomic-scale;
characterization;
compound semiconductor;
4.
STEM strain analysis at sub-nanometre scale using millisecond frames from a direct electron read-out CCD camera
机译:
使用直接电子读出CCD摄像机使用毫秒帧的亚纳米刻度的茎应变分析
作者:
K Müller
;
H Ryll
;
Ordavo
;
M Schowalter
;
J Zweck
;
H Soltau
;
S Ihle
;
L Strüder
;
K Volz
;
P Potapov
;
A Rosenauer
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
STEM strain;
analysis;
scale using millisecond;
5.
The measurement of electrostatic potentials in core/shell GaN nanowires using off-axis electron holography
机译:
使用脱轴电子全息术芯/壳GaN纳米线中静电电位的测量
作者:
S Yazdi
;
T Kasama
;
R Ciechonski
;
O Kryliouk
;
JB Wagner
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
The measurement;
electrostatic;
potentials;
6.
Measuring composition in InGaN from HAADF-STEM images and studying the temperature dependence of Zcontrast
机译:
从Haadf-茎图像测量IngaN中的组合物,并研究ZContrast的温度依赖性
作者:
T Mehrtens
;
M Schowalter
;
D Tytko
;
P Choi
;
D Raabe
;
L Hoffmann
;
H J?nen
;
U Rossow
;
A Hangleiter
;
A Rosenauer
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Measuring;
composition;
studying;
7.
Electron microscopy of the effect of heat treatment on thestructure of metal containing nanocomposites with silicon- carbon matrix
机译:
电子显微镜热处理对硅碳基质纳米复合材料结构的影响
作者:
M Presniakov
;
A Popov
;
A Vasiliev
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Electron microscopy;
effect of heat;
treatment;
8.
Polarization fields in GaN/AIN nanowire heterostructures studied by off-axis holography
机译:
GaN / AIN纳米线异质结构中的偏振田通过轴外全息进行研究
作者:
M den Hertog
;
R Songmuang
;
E Monroy
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Polarization;
fields;
nanowire;
9.
Composition variation of In_(1_x)Ga_xAs epitaxially grown in narrow trenches on Si
机译:
在Si上的窄沟中外延生长的IN_(1_X)GA_XA的组成变化
作者:
P Favia
;
O Richard
;
J Geypen
;
N Waldron
;
C Merckling
;
W Guo
;
M Caymax
;
H Bender
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Composition;
variation;
epitaxially;
10.
The structure and electronic properties of copper iodide 1D nanocrystals within single walled carbon nanotubes
机译:
单壁碳纳米管内铜碘化铜1D纳米晶体的结构和电子性能
作者:
N A Kiselev
;
A S Kumskov
;
V G Zhigalina
;
NI Verbitskiy
;
L V Yashina
;
A L Chuvilin
;
A L Vasiliev
;
A A Eliseev
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
The structure;
electronic;
properties;
11.
Characterization of L2_1 order in CO_2FeSi thin films on GaAs
机译:
在GaAs上Co_2Fesi薄膜中L2_1阶的表征
作者:
B Jenichen
;
T Hentschel
;
J Herfort
;
X Kong
;
A Trampert
;
I Zizak
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Characterization;
order;
films on GaAs;
12.
Delayering of Microelectronic Devices Using an Adjustable Broad-Beam Ion Source
机译:
使用可调节的宽梁离子源延迟微电子器件
作者:
A C Robins
;
R R Cerchiara
;
P E Fischione
;
M F Boccabella
;
J M Matesa
;
L M Marsh
;
Z Zhang
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Delayering;
Microelectronic;
Devices Using;
13.
The microstructure of Si surface layers after He~+ and Ar~+ plasma immersion ion implantation
机译:
Si〜+和Ar〜+等离子体浸没离子注入的Si表面层的微观结构
作者:
J M Chesnokov
;
A L Vasiliev
;
V F Lukichev
;
K V Rudenko
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
The microstructure;
Si surface;
layers;
14.
Transmission electron microscopy study of semi-polar gallium nitride layer grown by hydride-chloride vapour-phase epitaxy on SiC/(001)Si heterostructure
机译:
SiC /(001)Si异质结构氢化物 - 氯化物气相外延生长半极性氮化镓层的透射电子显微镜研究
作者:
L M Sorokin
;
A E Kalmykov
;
A V Myasoedov
;
V N Bessolov
;
A V Osipov
;
S A Kukushkin
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Transmission;
electron microscopy;
study;
15.
ZnO layers deposited by Atomic Layer Deposition
机译:
由原子层沉积沉积的ZnO层
作者:
B Pécz
;
Zs Baji
;
Z Lábadi
;
A Kovács
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
ZnO layers;
deposited;
Atomic Layer Deposition;
16.
GaN-based radial heterostructure nanowires grown by MBE and ALD
机译:
由MBE和ALD种植的GaN基径向异质结构纳米线
作者:
L Lari
;
I M Ross
;
T Walther
;
K Black
;
C Cheze
;
L Geelhaar
;
H Riechert
;
P R Chalker
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
GaN-based radial;
heterostructure;
nanowires grown;
17.
SEM/EDS/EBSD study of the behaviour of Ge,Mo and Al impurities in complex-doped crystals of higher manganese silicide
机译:
SEM / EDS / EBSD研究高级锰硅化物复合掺杂晶体中的Ge,Mo和Al杂质的行为
作者:
A S Orekhov
;
F Y Solomkin
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
behaviour;
impurities;
crystals of higher;
18.
Cross-sectional TEM preparation of hybrid inorganic/organic materials systems by ultramicrotomy
机译:
超微术杂交无机/有机材料系统的横截面TEM制剂
作者:
H Kirmse
;
E Oehlschlegel
;
F Polzer
;
S Blumstengel
;
M Sparenberg
;
F Henneberger
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Cross-sectional TEM;
preparation;
hybrid;
19.
Advanced semiconductor characterization with aberration corrected electron microscopes
机译:
具有像差校正电子显微镜的高级半导体表征
作者:
JL Rouvière
;
E Prestat
;
P Bayle-Guillemaud
;
M Den Hertog
;
C Bougerol
;
D Cooper
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Advanced;
semiconductor;
characterization;
20.
Defect analysis of a silicon nanowire transistor by X-ray energy dispersive spectroscopy technique in a STEM: 2D mappings and tomography
机译:
茎射线能量分散谱技术硅纳米线晶体管的缺陷分析:2D映射和断层扫描
作者:
K Lepinay
;
F Lorut
;
A Pofelski
;
R Coquand
;
R Pantel
;
T Epicier
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Defect analysis;
silicon nanowire;
transistor;
21.
Defect Formation and Strain Relaxation in graded GaPAs/GaAs,GaNAs/GaAs and GaInNAs/Ge Buffer Systems for high-efficiency Solar Cells
机译:
用于高效太阳能电池的渐变巨头/ GaAs,GANAS / GAAS和GAINNAS / GE缓冲系统的缺陷形成和应变松弛
作者:
J Sch?ne
;
E Spiecker
;
F Dimroth
;
A W Bett
;
W J?ger
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Defect Formation;
Strain;
Relaxation;
22.
A luminescence study of doping effects in InP-based radial nanowire structures
机译:
基于INP的径向纳米线结构掺杂效应的发光研究
作者:
D Lindgren
;
M Heurlin
;
K Kawaguchi
;
M T Borgstr?m
;
M-E Pistol
;
B Monemar
;
L Samuelson
;
A Gustafsson
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
A luminescence;
study of doping;
effects;
23.
Cathodoluminescence and TEM investigations of structural and optical properties of AlGaN on epitaxial laterally overgrown AIN/sapphire templates
机译:
AlGaN在外延横向覆盖AIN / SAPPHIRE模板上的结构和光学性质的阴极致发光和TEM研究
作者:
U Zeimer
;
A Mogilatenko
;
V Kueller
;
A Knauer
;
M Weyers
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Cathodoluminescence;
investigations;
structural;
24.
Towards a better understanding of trench defects in InGaN/GaN quantum wells
机译:
为了更好地了解Ingan / GaN量子阱中的沟槽缺陷
作者:
F C-P Massabuau
;
L Trinh-Xuan
;
D Lodié
;
S -L Sahonta
;
S Rhode
;
E J Thrush
;
F Oehler
;
M J Kappers
;
C J Humphreys
;
R A Oliver
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Towards;
better;
understanding;
25.
Microscopic investigations of advanced thin films for photonics
机译:
光子型先进薄膜的显微研究
作者:
S Boninelli
;
A Shakoor
;
K Welma
;
TF Krauss
;
L OFaolain
;
R Lo Savio
;
S Portalupi
;
D Gerace
;
M Galli
;
P Cardile
;
G Bellocchi
;
G Franzò
;
M Miritello
;
F Iacona
;
F Priolo
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Microscopic;
investigations;
advanced;
26.
Microstructural characterisation of Bi2Se3 thin films
机译:
Bi2se3薄膜的微观结构表征
作者:
N V Tarakina
;
S Schreyeck
;
T Borzenko
;
S Grauer
;
C Schumacher
;
G Karczewski
;
C Gould
;
K Brunner
;
H Buhmann
;
L W Molenkamp
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Microstructural;
characterisation;
thin films;
27.
The nature of electrostatic potential fluctuations in Cu2ZnSnS4 and their role on photovoltaic device performance
机译:
Cu2zNSNS4静电势波动性质及其对光伏器件性能的作用
作者:
BG Mendis
;
MD Shannon
;
MCJ Goodman
;
JD Major
;
AA Taylor
;
DP Halliday
;
K Durose
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
electrostatic;
potential fluctuations;
performance;
28.
Indium Nitride and Indium Gallium Nitride layers grown on nanorods
机译:
在纳米棒上生长的氮化铟和铟镓氮化镓层
作者:
R F Webster
;
D Cherns
;
L E Goff
;
S V Novikov
;
C T Foxon
;
A M Fischer
;
F A Ponce
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Indium Nitride;
Indium Gallium;
Nitride layers;
29.
High resolution imaging in cross-section of a metal-oxidesemiconductor field-effect-transistor using super-higher-order nonlinear dielectric microscopy
机译:
使用超级高阶非线性介电显微镜的金属 - 氧化型磁体效应 - 晶体管横截面的高分辨率成像
作者:
N Chinone
;
K Yamasue
;
K Honda
;
Y Cho
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
High resolution;
imaging;
super-higher-order;
30.
Towards the structure of rare earth luminescence centres-terbium doped aluminium nitride as an example system
机译:
朝向稀土发光中心的结构 - 掺杂氮化铝作为示例性系统
作者:
Felix Benz
;
Thomas Walther
;
Horst P Strunk
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Towards;
structure;
luminescence;
31.
Calibration of thickness-dependent k-factors for germanium X-ray lines to improve energy-dispersive X-ray spectroscopy of SiGe layers in analytical transmission electron microscopy
机译:
用于锗X射线线的厚度依赖性K因子的校准,以改善分析透射电子显微镜中SiGe层的能量分散X射线光谱
作者:
Y Qiu
;
VH Nguyen
;
A Dobbie
;
M Myronov
;
T Walther
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Calibration;
thickness-dependent;
k-factors;
32.
Dynamic segregation of metallic impurities at SiO_2/Si interfaces
机译:
SiO_2 / Si界面的金属杂质的动态分离
作者:
A De Luca
;
A Portavoce
;
M Texier
;
N Burle
;
B Pichaud
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Dynamic segregation;
metallic;
impurities;
33.
Dislocation dynamics in SiGe alloys
机译:
SiGe合金中的位错动态
作者:
I Yonenaga
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Dislocation;
dynamics;
SiGe alloys;
34.
Origin of a-plane (Al,Ga)N formation on patterned c-plane AIN/sapphire templates
机译:
在图案化C面AIN / SAPPHIRE模板上形成A平面(AL,GA)N的起源
作者:
A Mogilatenko
;
H Kirmse
;
Hagedorn
;
E Richter
;
U Zeimer
;
M Weyers
;
G Tr?nkle
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Origin;
formation;
patterned;
35.
Study of site controlled quantum dot formation on focused ion beam patterned GaAs substrate
机译:
基于聚焦离子束图案GaAs衬底的站点控制量子点形成研究
作者:
H Zhang
;
I M Ross
;
T Walther
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Study;
site controlled;
quantum;
36.
The microstructure of Ge/Si layers grown at low temperature
机译:
低温生长的GE / Si层的微观结构
作者:
V V Roddatis
;
A L Vasiliev
;
M V Kovalchuk
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
The microstructure;
layers grown;
temperature;
37.
Atom probe tomography of a commercial light emitting diode
机译:
商业发光二极管的原子探测断层扫描
作者:
D J Larson
;
T J Prosa
;
D Olson
;
W Lefebvre
;
D Lawrence
;
P H Clifton
;
T F Kelly
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Atom probe;
tomography;
commercial light;
38.
SiGe epitaxially grown in nano-trenches on Si substrate
机译:
Sige在Si衬底上纳米沟槽延长生长
作者:
O Richard
;
B Vincent
;
P Favia
;
P Lagrain
;
H Bender
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
SiGe epitaxially;
grown in nano-trenches;
substrate;
39.
Characterisation of 3D-GaN/InGaN nanostructured Light Emitting Diodes by Transmission Electron Microscopy
机译:
透射电子显微镜表征3D-GaN / IngaN纳米结构发光二极管的特征
作者:
I J Griffiths
;
D Cherns
;
X Wang
;
A Waag
;
H-H Wehmann
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Characterisation;
nanostructured;
Light Emitting;
40.
Correlation of Microstructure and Transport Properties of Multilayered Graphene Spin Valves on SiO_2/Si
机译:
多层石墨烯旋转阀对SiO_2 / Si的微观结构和运输性能的相关性
作者:
L Lari
;
G Hughes
;
K Muramoto
;
A Hirohata
;
M Shiraishi
;
V K Lazarov
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Correlation;
Microstructure;
Transport Properties;
41.
Measuring the work function of TiO_2 nanotubes using illuminated electrostatic force microscopy
机译:
使用发光的静电力显微镜测量TiO_2纳米管的功函数
作者:
Graham X R Smith
;
Rolf Crook
;
Jay D Wadhawan
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Measuring;
work function;
nanotubes;
42.
Boron Nitride Nanosheets: novel Syntheses and Applications in polymeric Composites
机译:
硼氮化物纳米片:聚合物复合材料中的新型合成和应用
作者:
Xuebin Wang
;
Chunyi Zhi
;
Qunhong Weng
;
Yoshio Bando
;
Dmitri Golberg
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
boron nitride;
nanosheet;
chemical blowing;
polymeric composite;
43.
Investigation of growth of thin layers of perovskite on native silicon dioxide by a combination of atomic force microscopy and transmission electron microscopy
机译:
用原子力显微镜和透射电子显微镜组合调查天然二氧化硅薄层的生长
作者:
A Taghi Khani
;
T Walther
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Investigation;
growth;
layers;
44.
Compositional analysis of InAs-GaAs-GaSb heterostructures by Low-Loss Electron Energy Loss Spectroscopy
机译:
低损耗电子能量损失光谱法的基础气体异质结构的组成分析
作者:
A M Beltrán
;
T Ben
;
A M Sánchez
;
M H Gass
;
A G Taboada
;
J M Ripalda
;
SI Molina
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Compositional;
analysis;
heterostructures;
45.
Near-infrared nano-spectroscopy and emission energy control of semiconductor quantum dots using a phase-change material
机译:
使用相变材料近红外纳米光谱和半导体量子点的发射能量控制
作者:
Nobuhiro Tsumori
;
Motoki Takahashi
;
Nurrul Syafawati Humam
;
Phillipe Regreny
;
Michel Gendry
;
Toshiharu Saiki
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
emission;
energy control;
semiconductor;
46.
Multislice calculations for quantitative HAADF STEM analysis of germanium diffusion in strained silicon
机译:
锗硅锗扩散定量HAADF茎分析的多层计算
作者:
L Favre
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Multislice;
calculations;
quantitative;
47.
Analytical Electron Microscopy of Semiconductor Nanowire Functional Materials and Devices for Energy Applications
机译:
半导体纳米线型功能材料的分析电子显微镜和用于能源应用的装置
作者:
V P Oleshko
;
E H Williams
;
A V Davydov
;
S Kiylyuk
;
A Motayed
;
D Ruzmetov
;
T Lam
;
H J Lezec
;
A A Talin
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Analytical;
Electron;
Microscopy;
48.
Advanced TEM Characterization for the Development of 28-14nm nodes based on fully-depleted Silicon-on-Insulator Technology
机译:
基于全耗尽硅 - 孤立于绝缘技术的28-14nm节点开发的高级TEM表征
作者:
G Servanton
;
L Clement
;
K Lepinay
;
F Lorut
;
R Pantel
;
A Pofelski
;
N Bicais
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Advanced TEM;
Characterization;
Development;
49.
The influence of atomic ordering on strain relaxation during the growth of metamorphic solar cells
机译:
原子序排序对变质太阳能电池生长过程中应变松弛的影响
作者:
A G Norman
;
R M France
;
W E McMahon
;
J F Geisz
;
M J Romero
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
The influence;
atomic ordering;
strain relaxation;
50.
Measuring composition in InGaN from HAADF-STEM images and studying the temperature dependence of Zcontrast
机译:
从Haadf-茎图像测量IngaN中的组合物,研究ZContrast的温度依赖性
作者:
T Mehrtens
;
M Schowalter
;
D Tytko
;
P Choi
;
D Raabe
;
L Hoffmann
;
H J?nen
;
U Rossow
;
A Hangleiter
;
A Rosenauer
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Measuring;
composition;
studying;
51.
Cathodoluminescence and TEM investigations of structural and optical properties of AlGaN on epitaxial laterally overgrown AIN/sapphire templates
机译:
AlGaN在外延横向覆盖AIN / Sapphie模板上的结构和光学性质的阴极致发光和TEM调查
作者:
U Zeimer
;
A Mogilatenko
;
V Kueller
;
A Knauer
;
M Weyers
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Cathodoluminescence;
investigations;
structural;
52.
SEM/EDS/EBSD study of the behaviour of Ge,Mo and Al impurities in complex-doped crystals of higher manganese silicide
机译:
SEM / EDS / EBSD研究GE,MO和Al杂质在高级锰硅化物复合掺杂晶体中的行为
作者:
A S Orekhov
;
F Y Solomkin
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
behaviour;
impurities;
crystals of higher;
53.
Cross-sectional TEM preparation of hybrid inorganic/organic materials systems by ultramicrotomy
机译:
超大术的杂交无机/有机材料系统的横截面TEM制剂
作者:
H Kirmse
;
E Oehlschlegel
;
F Polzer
;
S Blumstengel
;
M Sparenberg
;
F Henneberger
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Cross-sectional TEM;
preparation;
hybrid;
54.
Origin of a-plane (Al,Ga)N formation on patterned c-plane AIN/sapphire templates
机译:
在图案化的C面AIN / SAPPHIRE模板上形成A-Plane(Al,Ga)n的起源
作者:
A Mogilatenko
;
H Kirmse
;
Hagedorn
;
E Richter
;
U Zeimer
;
M Weyers
;
G Tr?nkle
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Origin;
formation;
patterned;
55.
Correlation of Microstructure and Transport Properties of Multilayered Graphene Spin Valves on SiO_2/Si
机译:
多层石墨烯旋转阀对SiO_2 / Si的微观结构和运输性能的相关性
作者:
L Lari
;
G Hughes
;
K Muramoto
;
A Hirohata
;
M Shiraishi
;
V K Lazarov
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Correlation;
Microstructure;
Transport Properties;
56.
GaN-based radial heterostructure nanowires grown by MBE and ALD
机译:
MBE和ALD种植的GaN基径向异质结构纳米线
作者:
L Lari
;
I M Ross
;
T Walther
;
K Black
;
C Cheze
;
L Geelhaar
;
H Riechert
;
P R Chalker
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
GaN-based radial;
heterostructure;
nanowires grown;
57.
A luminescence study of doping effects in InP-based radial nanowire structures
机译:
基于INP的径向纳米线结构掺杂效应的发光研究
作者:
D Lindgren
;
M Heurlin
;
K Kawaguchi
;
M T Borgstr?m
;
M-E Pistol
;
B Monemar
;
L Samuelson
;
A Gustafsson
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
A luminescence;
study of doping;
effects;
58.
Towards the structure of rare earth luminescence centres-terbium doped aluminium nitride as an example system
机译:
朝向稀土发光中心的结构 - 掺杂氮化铝作为示例性系统
作者:
Felix Benz
;
Thomas Walther
;
Horst P Strunk
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Towards;
structure;
luminescence;
59.
Microstructural characterisation of Bi2Se3 thin films
机译:
Bi2se3薄膜的微观结构表征
作者:
N V Tarakina
;
S Schreyeck
;
T Borzenko
;
S Grauer
;
C Schumacher
;
G Karczewski
;
C Gould
;
K Brunner
;
H Buhmann
;
L W Molenkamp
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Microstructural;
characterisation;
thin films;
60.
The microstructure of Ge/Si layers grown at low temperature
机译:
低温生长的GE / Si层的微观结构
作者:
V V Roddatis
;
A L Vasiliev
;
M V Kovalchuk
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
The microstructure;
layers grown;
temperature;
61.
Measuring the work function of TiO_2 nanotubes using illuminated electrostatic force microscopy
机译:
使用发光的静电力显微镜测量TiO_2纳米管的功函数
作者:
Graham X R Smith
;
Rolf Crook
;
Jay D Wadhawan
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Measuring;
work function;
nanotubes;
62.
Study of site controlled quantum dot formation on focused ion beam patterned GaAs substrate
机译:
基于聚焦离子束图案GaAs衬底的站点控制量子点形成的研究
作者:
H Zhang
;
I M Ross
;
T Walther
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Study;
site controlled;
quantum;
63.
The microstructure of Si surface layers after He~+ and Ar~+ plasma immersion ion implantation
机译:
Si表面层的微观结构〜+和ar〜+等离子体浸没离子植入
作者:
J M Chesnokov
;
A L Vasiliev
;
V F Lukichev
;
K V Rudenko
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
The microstructure;
Si surface;
layers;
64.
STEM strain analysis at sub-nanometre scale using millisecond frames from a direct electron read-out CCD camera
机译:
使用直接电子读出CCD摄像机使用毫秒帧的子纳米秤的茎应变分析
作者:
K Müller
;
H Ryll
;
Ordavo
;
M Schowalter
;
J Zweck
;
H Soltau
;
S Ihle
;
L Strüder
;
K Volz
;
P Potapov
;
A Rosenauer
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
STEM strain;
analysis;
scale using millisecond;
65.
Advanced semiconductor characterization with aberration corrected electron microscopes
机译:
具有像差校正电子显微镜的高级半导体表征
作者:
JL Rouvière
;
E Prestat
;
P Bayle-Guillemaud
;
M Den Hertog
;
C Bougerol
;
D Cooper
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Advanced;
semiconductor;
characterization;
66.
Defect Formation and Strain Relaxation in graded GaPAs/GaAs,GaNAs/GaAs and GaInNAs/Ge Buffer Systems for high-efficiency Solar Cells
机译:
用于高效太阳能电池的分级巨头/ GAAS,GANAS / GAAS和GAINNAS / GE缓冲系统的缺陷形成和应变松弛
作者:
J Sch?ne
;
E Spiecker
;
F Dimroth
;
A W Bett
;
W J?ger
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Defect Formation;
Strain;
Relaxation;
67.
Composition variation of In_(1_x)Ga_xAs epitaxially grown in narrow trenches on Si
机译:
在Si上狭窄的沟槽外延生长的IN_(1_X)GA_XA的组成变化
作者:
P Favia
;
O Richard
;
J Geypen
;
N Waldron
;
C Merckling
;
W Guo
;
M Caymax
;
H Bender
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Composition;
variation;
epitaxially;
68.
Evidence of perfect dislocation glide in nanoindented 4H-SiC
机译:
纳米狭窄的4H-SIC中完美脱位滑翔的证据
作者:
M Texier
;
A De Luca
;
B Pichaud
;
M Jublot
;
C Tromas
;
J-L Demenet
;
J Rabier
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Evidence;
perfect dislocation;
glide;
69.
Polarization fields in GaN/AIN nanowire heterostructures studied by off-axis holography
机译:
GaN / AIN纳米线异质结构中的偏振田通过轴外全息
作者:
M den Hertog
;
R Songmuang
;
E Monroy
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Polarization;
fields;
nanowire;
70.
SiGe epitaxially grown in nano-trenches on Si substrate
机译:
Sie在Si衬底上纳米沟槽延长的SiGe
作者:
O Richard
;
B Vincent
;
P Favia
;
P Lagrain
;
H Bender
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
SiGe epitaxially;
grown in nano-trenches;
substrate;
71.
The structure and electronic properties of copper iodide 1D nanocrystals within single walled carbon nanotubes
机译:
单壁碳纳米管内铜碘化铜1D纳米晶体的结构和电子性能
作者:
N A Kiselev
;
A S Kumskov
;
V G Zhigalina
;
NI Verbitskiy
;
L V Yashina
;
A L Chuvilin
;
A L Vasiliev
;
A A Eliseev
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
The structure;
electronic;
properties;
72.
Electron microscopy of the effect of heat treatment on thestructure of metal containing nanocomposites with silicon- carbon matrix
机译:
电子显微镜的热处理对含有硅 - 碳基质纳米复合材料结构的影响
作者:
M Presniakov
;
A Popov
;
A Vasiliev
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Electron microscopy;
effect of heat;
treatment;
73.
Investigation of growth of thin layers of perovskite on native silicon dioxide by a combination of atomic force microscopy and transmission electron microscopy
机译:
用原子力显微镜和透射电子显微镜组合研究天然二氧化硅薄层薄层的生长
作者:
A Taghi Khani
;
T Walther
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Investigation;
growth;
layers;
74.
Atom probe tomography of a commercial light emitting diode
机译:
商业发光二极管的原子探测断层扫描
作者:
D J Larson
;
T J Prosa
;
D Olson
;
W Lefebvre
;
D Lawrence
;
P H Clifton
;
T F Kelly
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Atom probe;
tomography;
commercial light;
75.
The measurement of electrostatic potentials in core/shell GaN nanowires using off-axis electron holography
机译:
使用脱轴电子全全息术芯/壳GaN纳米线中静电电位的测量
作者:
S Yazdi
;
T Kasama
;
R Ciechonski
;
O Kryliouk
;
JB Wagner
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
The measurement;
electrostatic;
potentials;
76.
Towards a better understanding of trench defects in InGaN/GaN quantum wells
机译:
为了更好地了解Ingan / GaN量子阱中的沟槽缺陷
作者:
F C-P Massabuau
;
L Trinh-Xuan
;
D Lodié
;
S -L Sahonta
;
S Rhode
;
E J Thrush
;
F Oehler
;
M J Kappers
;
C J Humphreys
;
R A Oliver
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Towards;
better;
understanding;
77.
Delayering of Microelectronic Devices Using an Adjustable Broad-Beam Ion Source
机译:
使用可调节的宽梁离子源延迟微电子器件
作者:
A C Robins
;
R R Cerchiara
;
P E Fischione
;
M F Boccabella
;
J M Matesa
;
L M Marsh
;
Z Zhang
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Delayering;
Microelectronic;
Devices Using;
78.
High resolution imaging in cross-section of a metal-oxidesemiconductor field-effect-transistor using super-higher-order nonlinear dielectric microscopy
机译:
使用超高阶非线性介电显微镜的金属 - 氧化术域效应晶体管横截面的高分辨率成像
作者:
N Chinone
;
K Yamasue
;
K Honda
;
Y Cho
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
High resolution;
imaging;
super-higher-order;
79.
Transmission electron microscopy study of semi-polar gallium nitride layer grown by hydride-chloride vapour-phase epitaxy on SiC/(001)Si heterostructure
机译:
SiC /(001)Si异质结构氢化物氯化物气相外延生长半极镓氮化物层的透射电子显微镜研究
作者:
L M Sorokin
;
A E Kalmykov
;
A V Myasoedov
;
V N Bessolov
;
A V Osipov
;
S A Kukushkin
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Transmission;
electron microscopy;
study;
80.
Calibration of thickness-dependent k-factors for germanium X-ray lines to improve energy-dispersive X-ray spectroscopy of SiGe layers in analytical transmission electron microscopy
机译:
用于锗X射线线的厚度依赖性k因子的校准,以改善分析透射电子显微镜中SiGe层的能量分散X射线光谱
作者:
Y Qiu
;
VH Nguyen
;
A Dobbie
;
M Myronov
;
T Walther
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Calibration;
thickness-dependent;
k-factors;
81.
Atomic-scale characterization of (mostly zincblende) compound semiconductor heterostructures
机译:
(大多是Zincblende)化合物半导体异质结构的原子尺度表征
作者:
David J Smith
;
T Aoki
;
J K Furdyna
;
X Liu
;
M R McCartney
;
Y-H Zhang
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Atomic-scale;
characterization;
compound semiconductor;
82.
Dislocation dynamics in SiGe alloys
机译:
SiGe合金中的位错动态
作者:
I Yonenaga
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Dislocation;
dynamics;
SiGe alloys;
83.
The influence of atomic ordering on strain relaxation during the growth of metamorphic solar cells
机译:
原子序排序对变质太阳能电池生长过程中应变松弛的影响
作者:
A G Norman
;
R M France
;
W E McMahon
;
J F Geisz
;
M J Romero
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
The influence;
atomic ordering;
strain relaxation;
84.
Near-infrared nano-spectroscopy and emission energy control of semiconductor quantum dots using a phase-change material
机译:
使用相变材料近红外纳米光谱和半导体量子点的发射能量控制
作者:
Nobuhiro Tsumori
;
Motoki Takahashi
;
Nurrul Syafawati Humam
;
Phillipe Regreny
;
Michel Gendry
;
Toshiharu Saiki
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
emission;
energy control;
semiconductor;
85.
Compositional analysis of InAs-GaAs-GaSb heterostructures by Low-Loss Electron Energy Loss Spectroscopy
机译:
低损耗电子能量损失光谱法的GaAs - Gaas-Gaas-GatoS结构的组成分析
作者:
A M Beltrán
;
T Ben
;
A M Sánchez
;
M H Gass
;
A G Taboada
;
J M Ripalda
;
SI Molina
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Compositional;
analysis;
heterostructures;
86.
The nature of electrostatic potential fluctuations in Cu2ZnSnS4 and their role on photovoltaic device performance
机译:
CU2ZNSN4静电势波动性质及其在光伏器件性能的作用
作者:
BG Mendis
;
MD Shannon
;
MCJ Goodman
;
JD Major
;
AA Taylor
;
DP Halliday
;
K Durose
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
electrostatic;
potential fluctuations;
performance;
87.
Multislice calculations for quantitative HAADF STEM analysis of germanium diffusion in strained silicon
机译:
硅锗锗扩散定量HAADF茎分析的多层计算
作者:
L Favre
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Multislice;
calculations;
quantitative;
88.
Advanced TEM Characterization for the Development of 28-14nm nodes based on fully-depleted Silicon-on-Insulator Technology
机译:
基于全耗尽的硅 - 绝缘技术技术开发的高级TEM表征
作者:
G Servanton
;
L Clement
;
K Lepinay
;
F Lorut
;
R Pantel
;
A Pofelski
;
N Bicais
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Advanced TEM;
Characterization;
Development;
89.
Defect analysis of a silicon nanowire transistor by X-ray energy dispersive spectroscopy technique in a STEM: 2D mappings and tomography
机译:
茎射线能量分散谱技术晶纳米线晶体管的缺陷分析:2D映射和断层扫描
作者:
K Lepinay
;
F Lorut
;
A Pofelski
;
R Coquand
;
R Pantel
;
T Epicier
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Defect analysis;
silicon nanowire;
transistor;
90.
Microscopic investigations of advanced thin films for photonics
机译:
光子型先进薄膜的显微研究
作者:
S Boninelli
;
A Shakoor
;
K Welma
;
TF Krauss
;
L OFaolain
;
R Lo Savio
;
S Portalupi
;
D Gerace
;
M Galli
;
P Cardile
;
G Bellocchi
;
G Franzò
;
M Miritello
;
F Iacona
;
F Priolo
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Microscopic;
investigations;
advanced;
91.
Boron Nitride Nanosheets: novel Syntheses and Applications in polymeric Composites
机译:
硼氮化物纳米片:聚合物复合材料中的新型合成和应用
作者:
Xuebin Wang
;
Chunyi Zhi
;
Qunhong Weng
;
Yoshio Bando
;
Dmitri Golberg
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
boron nitride;
nanosheet;
chemical blowing;
polymeric composite;
92.
Quantitative Composition Evaluation from HAADF-STEM in GeSi/Si Heterostructures
机译:
从GESI / Si异质结构中的Haadf-茎的定量组成评价
作者:
M Tewes
;
E F Krause
;
K Müller
;
P Potapov
;
M Schowalter
;
T Mehrtens
;
A Rosenauer
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Quantitative;
Composition;
Evaluation;
93.
Characterization of L2_1 order in CO_2FeSi thin films on GaAs
机译:
在GaAs上Co_2Fesi薄膜中L2_1顺序的表征
作者:
B Jenichen
;
T Hentschel
;
J Herfort
;
X Kong
;
A Trampert
;
I Zizak
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Characterization;
order;
films on GaAs;
94.
ZnO layers deposited by Atomic Layer Deposition
机译:
由原子层沉积沉积的ZnO层
作者:
B Pécz
;
Zs Baji
;
Z Lábadi
;
A Kovács
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
ZnO layers;
deposited;
Atomic Layer Deposition;
95.
Analytical Electron Microscopy of Semiconductor Nanowire Functional Materials and Devices for Energy Applications
机译:
半导体纳米线功能材料和用于能源应用装置的分析电子显微镜
作者:
V P Oleshko
;
E H Williams
;
A V Davydov
;
S Kiylyuk
;
A Motayed
;
D Ruzmetov
;
T Lam
;
H J Lezec
;
A A Talin
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Analytical;
Electron;
Microscopy;
96.
Characterisation of 3D-GaN/InGaN nanostructured Light Emitting Diodes by Transmission Electron Microscopy
机译:
透射电子显微镜表征3D-GaN / IngaN纳米结构发光二极管的特征
作者:
I J Griffiths
;
D Cherns
;
X Wang
;
A Waag
;
H-H Wehmann
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Characterisation;
nanostructured;
Light Emitting;
97.
Dynamic segregation of metallic impurities at SiO_2/Si interfaces
机译:
SiO_2 / Si界面中金属杂质的动态分离
作者:
A De Luca
;
A Portavoce
;
M Texier
;
N Burle
;
B Pichaud
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Dynamic segregation;
metallic;
impurities;
98.
Indium Nitride and Indium Gallium Nitride layers grown on nanorods
机译:
在纳米棒上生长的氮化铟和氮化镓层和氮化镓层
作者:
R F Webster
;
D Cherns
;
L E Goff
;
S V Novikov
;
C T Foxon
;
A M Fischer
;
F A Ponce
会议名称:
《Microscopy of Semiconducting Materials Conference》
|
2013年
关键词:
Indium Nitride;
Indium Gallium;
Nitride layers;
意见反馈
回到顶部
回到首页