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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Cr-rich layer at the WC/Co interface in Cr-doped WC-Co cermets: segregation or metastable carbide?
【24h】

Cr-rich layer at the WC/Co interface in Cr-doped WC-Co cermets: segregation or metastable carbide?

机译：掺铬的WC-Co金属陶瓷中WC / Co界面处的富铬层：偏析或亚稳态碳化物？

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The effect of Cr on the microstructure of WC-Co alloys after liquid-phase sintering is studied as a function of the C content of the alloy and for two Cr for Co substitution ratio. The distribution of Cr is investigated using X-ray energy dispersive spectrometry. A Cr enrichment at WC/Co interfaces is detected for both C- and W-rich alloys. The observations by high-resolution electron microscopy point out a thin face centred cubic layer at the interface between WC and Co. This layer has grown epitaxially on the surface of the WC grains with two orientation relationships depending on the WC plane. The lattice parameter mismatch is close to 0.2% for the basal plane and less than 3% for the prismatic plane of WC. The composition and crystal structure of this compound correspond to the metastable (Cr,W)C phase that is stabilized by the low energy of the WC/(Cr,W)C interface. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：研究了Cr对液相烧结后WC-Co合金微观结构的影响，该影响是合金中C含量的函数以及两种Cr替代Co的函数。使用X射线能量色散光谱法研究Cr的分布。对于富C和富W的合金，都检测到WC / Co界面处的Cr富集。高分辨率电子显微镜的观察结果表明，在WC和Co之间的界面处有一个以薄面为中心的立方层。该层在WC晶粒的表面上外延生长，具有取决于WC平面的两种取向关系。对于基面，晶格参数失配接近0.2％，而对于WC的棱柱面，晶格参数失配小于3％。该化合物的组成和晶体结构对应于通过WC /（Cr，W）C界面的低能而稳定的亚稳（Cr，W）C相。 （C）2004 Elsevier B.V.保留所有权利。

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