MOCVD growth of asymmetric 980 nm InGaAs/InGaAsP broad-waveguide diode lasers for high power applications

著录项

• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2003年第2期|p.100-105|共6页
• 作者

  J.J. Lee; L.J. Mawst; D. Botez;

  展开▼
• 作者单位

  Reed Center for Photonics, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin, 1415 Engineering Drive, Madison, WI 53706, USA;

  展开▼
• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. asymmetric laser structure; A1. current blocking layer; A1. equivalent transverse spot size; A3. low press. metallorganic vapor phase epitaxy; B2. 1.8 eV-bandgap InGaAsP; B2. InGaAs/InGaAsP;

  机译：A1。不对称激光结构A1。电流阻挡层;A1。等效横向光斑尺寸;A3。低压力。金属有机气相外延;B2。 1.8 eV带隙InGaAsP;B2。 InGaAs / InGaAsP;