Charge transfer in CdTe at 200 and 300 K

K. Balamurugan; R. Saravanan; K. Asharamani; P. Manimaran; S. Mariyappan; N. Srinivasan; Y. Ono; M. Isshiki; T. Kajitani

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Charge transfer in CdTe at 200 and 300 K

机译：CdTe在200和300 K下的电荷转移

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Using a perfect single crystal sample of CdTe grown using PVT method, the electronic charge transfer in the Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor CdTe at 200 and 300 K has been evaluated using two different approaches: (1) by solving a quadratic equation involving the observed structure factors of h + k+ l = 4n + 2 type reflections; and (2) by a graphical approach in which the observed and calculated atomic form factors are extrapolated to sin θ/λ = 0, to determine the transferred charge. Precise X-ray structure factors collected using MoK_α radiation have been used for the analysis. The results obtained are reasonable and clearly indicate the ionicity by which charge is transferred from Cd to Te in CdTe.

机译：使用通过PVT方法生长的理想的CdTe单晶样品，使用两种不同的方法评估了200和300 K时Ⅱ-Ⅵ型化合物半导体CdTe中的电荷转移：（1）通过求解涉及观察到的结构的二次方程h + k + 1的因子= 4n + 2种类型的反射；（2）通过图形方法将观察到的和计算出的原子形状因数外推至sinθ/λ= 0，以确定转移的电荷。使用MoK_α辐射收集的精确X射线结构因子已用于分析。所获得的结果是合理的，并且清楚地表明了CdTe中电荷从Cd转移到Te的离子性。

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2003年第4期|p.382-392|共11页
作者
K. Balamurugan; R. Saravanan; K. Asharamani; P. Manimaran; S. Mariyappan; N. Srinivasan; Y. Ono; M. Isshiki; T. Kajitani;
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作者单位

Thiagarajar College, Madurai 625009, Tamil Nadu, India;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
A1. charge transfer; A1. X-ray diffraction; B1. CdTe; B2. semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials;

机译：A1。电荷转移;A1。 X射线衍射;B1。碲化镉;B2。半导体Ⅱ-Ⅵ材料;

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