Kinetics of dislocation-mediated strain relaxation in InGaAs/GaAs heteroepitaxy

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2003年第4期|p.106-111|共6页
• 作者

  R. Beresford; C. Lynch; E. Chason;

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• 作者单位

  Division of Engineering, Brown University, Box D, 182 Hope Street, Providence, RI 02912, USA;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. line defects; A3. molecular beam epitaxy; B2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;

  机译：A1。线路缺陷;A3。分子束外延B2。半导体Ⅲ-Ⅴ材料;