...
机译:蓝宝石衬底上氮化铝的低温生长
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Science and Engineering, Saga University, Honjo-1, Saga 840-8502, Japan;
A1. crystal structure; A1. X-ray diffraction; B1. nitride; B1. sapphire; B2. semiconducting aluminum compounds;
机译:氮化铝-碳化硅合金过渡层在碳化硅衬底上对氮化铝的升华生长
机译:通过基于等离子体的蓝宝石衬底的等离子体预处理,增强氮化铝薄膜的c轴取向
机译:氮化铝(0001)/蓝宝石衬底上的硼磷化物外延
机译:氮化镓和氮化铝在蓝宝石(0001)和GaAs上的光化学生长
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:加成低温合成氮化铝氯化铵
机译:氮化物半导体表面。低温沉积层对蓝宝石族氮化族生长的影响。
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长